光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2008年
10期
1301-1303
,共3页
徐丽华%邹德恕%邢艳辉%宋欣原%徐晨%沈光地
徐麗華%鄒德恕%邢豔輝%宋訢原%徐晨%瀋光地
서려화%추덕서%형염휘%송흔원%서신%침광지
表面粗化%金属纳米掩膜%干法刻蚀
錶麵粗化%金屬納米掩膜%榦法刻蝕
표면조화%금속납미엄막%간법각식
研究了一种利用金属自组装纳米掩膜和ICP刻蚀对AlGaInP基发光二极管(LED)表面进行粗化的技术,使光输出得到了提高.粗化了的AlGaInP基LED比常规的AlGaInP基LED,光强提高了27%,光功率提高了12.6%,实验结果具有可重复性.可以进一步优化Au颗粒的周期和分散程度,提高AlGaInP基LED的提取效率.
研究瞭一種利用金屬自組裝納米掩膜和ICP刻蝕對AlGaInP基髮光二極管(LED)錶麵進行粗化的技術,使光輸齣得到瞭提高.粗化瞭的AlGaInP基LED比常規的AlGaInP基LED,光彊提高瞭27%,光功率提高瞭12.6%,實驗結果具有可重複性.可以進一步優化Au顆粒的週期和分散程度,提高AlGaInP基LED的提取效率.
연구료일충이용금속자조장납미엄막화ICP각식대AlGaInP기발광이겁관(LED)표면진행조화적기술,사광수출득도료제고.조화료적AlGaInP기LED비상규적AlGaInP기LED,광강제고료27%,광공솔제고료12.6%,실험결과구유가중복성.가이진일보우화Au과립적주기화분산정도,제고AlGaInP기LED적제취효솔.
