中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2010年
1期
71-78
,共8页
硅基%锗%外延%光电探测器
硅基%鍺%外延%光電探測器
규기%타%외연%광전탐측기
硅是最重要的半导体材料,在信息产业中起着不可替代的作用.但是硅材料也有_些物理局限性,比如它是间接带隙半导体材料,它的载流子迁移率低,所以硅材料的发光效率很低,器件速度比较慢.在硅衬底上外延生长其它半导体材料,可以充分发挥各自的优点,弥补硅材料的不足.本文介绍了硅衬底上的锗材料外延生长技术进展,讨论了该材料在微电子和光电子等方面的可能应用,重点介绍了它在硅基高速长波长光电探测器研制方面的应用.
硅是最重要的半導體材料,在信息產業中起著不可替代的作用.但是硅材料也有_些物理跼限性,比如它是間接帶隙半導體材料,它的載流子遷移率低,所以硅材料的髮光效率很低,器件速度比較慢.在硅襯底上外延生長其它半導體材料,可以充分髮揮各自的優點,瀰補硅材料的不足.本文介紹瞭硅襯底上的鍺材料外延生長技術進展,討論瞭該材料在微電子和光電子等方麵的可能應用,重點介紹瞭它在硅基高速長波長光電探測器研製方麵的應用.
규시최중요적반도체재료,재신식산업중기착불가체대적작용.단시규재료야유_사물리국한성,비여타시간접대극반도체재료,타적재류자천이솔저,소이규재료적발광효솔흔저,기건속도비교만.재규츤저상외연생장기타반도체재료,가이충분발휘각자적우점,미보규재료적불족.본문개소료규츤저상적타재료외연생장기술진전,토론료해재료재미전자화광전자등방면적가능응용,중점개소료타재규기고속장파장광전탐측기연제방면적응용.
