固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
3期
233-235,291
,共4页
李春%陈刚%李宇柱%周建军%李肖
李春%陳剛%李宇柱%週建軍%李肖
리춘%진강%리우주%주건군%리초
离子注入%隔离%宽禁带半导体%碳化硅金属-半导体场效应晶体管%氮化镓
離子註入%隔離%寬禁帶半導體%碳化硅金屬-半導體場效應晶體管%氮化鎵
리자주입%격리%관금대반도체%탄화규금속-반도체장효응정체관%담화가
利用B+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离.通过Monte Carlo软件TRIM模拟,优化离子注入能量和剂量.在SiC MESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流,表现了很好的隔离效果;通过测试表明离子注人隔离的器件相比台面隔离器件的击穿电压有一定程度提高.
利用B+離子註入實現寬禁帶半導體的有源層隔離.通過Monte Carlo軟件TRIM模擬,優化離子註入能量和劑量.在SiC MESFET中測量兩組不同條件的樣品及在GaN HEMT測量瞭三組同種條件的樣品都得到瞭納安級電流,錶現瞭很好的隔離效果;通過測試錶明離子註人隔離的器件相比檯麵隔離器件的擊穿電壓有一定程度提高.
이용B+리자주입실현관금대반도체적유원층격리.통과Monte Carlo연건TRIM모의,우화리자주입능량화제량.재SiC MESFET중측량량조불동조건적양품급재GaN HEMT측량료삼조동충조건적양품도득도료납안급전류,표현료흔호적격리효과;통과측시표명리자주인격리적기건상비태면격리기건적격천전압유일정정도제고.
