固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
2期
159-164
,共6页
王锋%胡善文%张晓东%高怀
王鋒%鬍善文%張曉東%高懷
왕봉%호선문%장효동%고부
射频横向双扩散金属氧化物场效应晶体管%等效电路模型%预匹配%输入输出匹配
射頻橫嚮雙擴散金屬氧化物場效應晶體管%等效電路模型%預匹配%輸入輸齣匹配
사빈횡향쌍확산금속양화물장효응정체관%등효전로모형%예필배%수입수출필배
介绍了射频高功率放大器设计中RF LDMOS器件的预匹配和匹配技术.针对一款高功率RF LDMOS-FET,在器件法兰封装内为其设计了预匹配电路,并在PCB板级对其进行了输入输出匹配电路的设计,使其在工作频带内较好地匹配到50 Ω的系统参考阻抗上.仿真及测试结果表明,当频率为950 MHz时,该RF LDMOS功放的P<,-1 dB>达到了48.8 dBm,直流到射频信号的转换效率达到了66.4%,功率增益在17.8 dB左右,IM3基本处在-30dBe以下,同时在整个869～960 MHz工作频带内,其S<,11>小于-10 dB.
介紹瞭射頻高功率放大器設計中RF LDMOS器件的預匹配和匹配技術.針對一款高功率RF LDMOS-FET,在器件法蘭封裝內為其設計瞭預匹配電路,併在PCB闆級對其進行瞭輸入輸齣匹配電路的設計,使其在工作頻帶內較好地匹配到50 Ω的繫統參攷阻抗上.倣真及測試結果錶明,噹頻率為950 MHz時,該RF LDMOS功放的P<,-1 dB>達到瞭48.8 dBm,直流到射頻信號的轉換效率達到瞭66.4%,功率增益在17.8 dB左右,IM3基本處在-30dBe以下,同時在整箇869～960 MHz工作頻帶內,其S<,11>小于-10 dB.
개소료사빈고공솔방대기설계중RF LDMOS기건적예필배화필배기술.침대일관고공솔RF LDMOS-FET,재기건법란봉장내위기설계료예필배전로,병재PCB판급대기진행료수입수출필배전로적설계,사기재공작빈대내교호지필배도50 Ω적계통삼고조항상.방진급측시결과표명,당빈솔위950 MHz시,해RF LDMOS공방적P<,-1 dB>체도료48.8 dBm,직류도사빈신호적전환효솔체도료66.4%,공솔증익재17.8 dB좌우,IM3기본처재-30dBe이하,동시재정개869～960 MHz공작빈대내,기S<,11>소우-10 dB.
