固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
6期
590-595
,共6页
余建兴%潘炜%罗斌%闫连山%郑狄%项水英
餘建興%潘煒%囉斌%閆連山%鄭狄%項水英
여건흥%반위%라빈%염련산%정적%항수영
量子点半导体光放大器%马赫-曾德尔干涉仪%交叉增益调制%或门
量子點半導體光放大器%馬赫-曾德爾榦涉儀%交扠增益調製%或門
양자점반도체광방대기%마혁-증덕이간섭의%교차증익조제%혹문
利用量子点半导体光放大器的超快增益恢复特性和交叉增益调制效应,建立了基于量子点半导体光放大器的对称型马赫-曾德尔干涉仪模型,数值实现了对160 Gb/s归零码信号的全光逻辑或门运算,并分析了多种系统参数对输出性能的影响.结果表明:一方面,增大注入电流、有源区长度和输入信号光功率均可以提高或门输出信号的Q因子;另一方面,载流子从润湿层到激发态的弛豫时间变短以及较小的线宽增强因子和限制因子也有利于获得较高的Q因子.此外,存在一个最佳的输入信号脉冲宽度使得Q因子的值最大.因此,通过合理优化这些参数值可以大大提高逻辑或门的性能.
利用量子點半導體光放大器的超快增益恢複特性和交扠增益調製效應,建立瞭基于量子點半導體光放大器的對稱型馬赫-曾德爾榦涉儀模型,數值實現瞭對160 Gb/s歸零碼信號的全光邏輯或門運算,併分析瞭多種繫統參數對輸齣性能的影響.結果錶明:一方麵,增大註入電流、有源區長度和輸入信號光功率均可以提高或門輸齣信號的Q因子;另一方麵,載流子從潤濕層到激髮態的弛豫時間變短以及較小的線寬增彊因子和限製因子也有利于穫得較高的Q因子.此外,存在一箇最佳的輸入信號脈遲寬度使得Q因子的值最大.因此,通過閤理優化這些參數值可以大大提高邏輯或門的性能.
이용양자점반도체광방대기적초쾌증익회복특성화교차증익조제효응,건립료기우양자점반도체광방대기적대칭형마혁-증덕이간섭의모형,수치실현료대160 Gb/s귀령마신호적전광라집혹문운산,병분석료다충계통삼수대수출성능적영향.결과표명:일방면,증대주입전류、유원구장도화수입신호광공솔균가이제고혹문수출신호적Q인자;령일방면,재류자종윤습층도격발태적이예시간변단이급교소적선관증강인자화한제인자야유리우획득교고적Q인자.차외,존재일개최가적수입신호맥충관도사득Q인자적치최대.인차,통과합리우화저사삼수치가이대대제고라집혹문적성능.