利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究
이용P-MBE재Si(111)츤저상생장양화자박막급기광학성질적연구
STUDY ON GROWTH AND OPTICAL PROPERTIES OF ZnO THIN FILMS ON Si( 111 ) SUBSTRATE BY PLASMA ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY(P-MBE)
  • 万方数据
    红外与毫米波学报 홍외여호미파학보
    JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
    2004年 2期 103-106 ,共4页

    颜建锋%梁红伟%吕有明%刘益春%李炳辉%申德振%张吉英%范希武

    안건봉%량홍위%려유명%류익춘%리병휘%신덕진%장길영%범희무

    ZnO%等离子体辅助分子束外延%光致发光%吸附 ZnO%等離子體輔助分子束外延%光緻髮光%吸附
    ZnO%등리자체보조분자속외연%광치발광%흡부
    在Si(111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)生长氧化锌(ZnO)薄膜,研究了在不同衬底生长温度下(350～750℃)制备的ZnO薄膜的结构和光学性质.随着衬底温度的升高,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大,衬底温度为550℃样品的结构及光学性质都比较好,这表明550℃为在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度;同时,我们还通过550℃样品的变温光致发光谱(81～300K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源,证明其来源于自由激子发射.
    재Si(111)츤저상이용등리자체보조분자속외연(P-MBE)생장양화자(ZnO)박막,연구료재불동츤저생장온도하(350～750℃)제비적ZnO박막적결구화광학성질.수착츤저온도적승고,양품적X사선급광치발광적반고관도도시선변소후변대,츤저온도위550℃양품적결구급광학성질도비교호,저표명550℃위재Si(111)츤저상생장ZnO박막적최가츤저온도;동시,아문환통과550℃양품적변온광치발광보(81～300K)연구료ZnO박막실온자외발광봉적래원,증명기래원우자유격자발사.
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