半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
1期
96-99
,共4页
李瑛%冯士维%杨集%张跃宗%谢雪松%吕长志%卢毅成
李瑛%馮士維%楊集%張躍宗%謝雪鬆%呂長誌%盧毅成
리영%풍사유%양집%장약종%사설송%려장지%로의성
单晶ZnO%MOCVD%光电响应%AR膜%RF溅射损伤
單晶ZnO%MOCVD%光電響應%AR膜%RF濺射損傷
단정ZnO%MOCVD%광전향응%AR막%RF천사손상
对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积SiO2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.
對採用MOCVD方法沉積的ZnO單晶薄膜的歐姆接觸特性、光電特性進行瞭研究,併對比研究瞭射頻濺射沉積SiO2抗反射膜對ZnO薄膜I-V、光電特性的影響.實驗結果錶明,非閤金Al/ZnO金屬體繫與n型ZnO形成瞭良好的歐姆接觸,濺射沉積SiO2在ZnO錶麵引入瞭載流子陷阱,影響I-V特性,延長瞭光響應下降時間.ZnO單晶薄膜光電導也具有時間退化現象.
대채용MOCVD방법침적적ZnO단정박막적구모접촉특성、광전특성진행료연구,병대비연구료사빈천사침적SiO2항반사막대ZnO박막I-V、광전특성적영향.실험결과표명,비합금Al/ZnO금속체계여n형ZnO형성료량호적구모접촉,천사침적SiO2재ZnO표면인입료재류자함정,영향I-V특성,연장료광향응하강시간.ZnO단정박막광전도야구유시간퇴화현상.
