半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
6期
497-500
,共4页
袁凤坡%梁栋%尹甲运%许敏%刘波%冯志宏
袁鳳坡%樑棟%尹甲運%許敏%劉波%馮誌宏
원봉파%량동%윤갑운%허민%류파%풍지굉
金属有机化学气相外延淀积,氮化镓%铝镓氮/氮化镓%异质结%二维电子气
金屬有機化學氣相外延澱積,氮化鎵%鋁鎵氮/氮化鎵%異質結%二維電子氣
금속유궤화학기상외연정적,담화가%려가담/담화가%이질결%이유전자기
通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺,获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层,同时通过优化AlGaN/GaN异质结材料中AlN插入层的厚度,获得了性能优良的AlGaN/GaN HEMT材料.室温下2DEG载流子面密度为1.21×10013/cm2,迁移率为1970 cm2/V·s,77 K下2DEG迁移率达到13000 cm2/V·s.
通過優化藍寶石襯底上GaN材料緩遲層和Mg摻雜生長工藝,穫得瞭高質量的半絕緣GaN緩遲層,同時通過優化AlGaN/GaN異質結材料中AlN插入層的厚度,穫得瞭性能優良的AlGaN/GaN HEMT材料.室溫下2DEG載流子麵密度為1.21×10013/cm2,遷移率為1970 cm2/V·s,77 K下2DEG遷移率達到13000 cm2/V·s.
통과우화람보석츤저상GaN재료완충층화Mg참잡생장공예,획득료고질량적반절연GaN완충층,동시통과우화AlGaN/GaN이질결재료중AlN삽입층적후도,획득료성능우량적AlGaN/GaN HEMT재료.실온하2DEG재류자면밀도위1.21×10013/cm2,천이솔위1970 cm2/V·s,77 K하2DEG천이솔체도13000 cm2/V·s.
