包装工程
包裝工程
포장공정
PACKAGING ENGINEERING
2007年
10期
33-35
,共3页
孙运金%陈强%李朝阳%张跃飞
孫運金%陳彊%李朝暘%張躍飛
손운금%진강%리조양%장약비
M-PECVD%FTIR%氧化硅薄膜%AFM%阻隔性能
M-PECVD%FTIR%氧化硅薄膜%AFM%阻隔性能
M-PECVD%FTIR%양화규박막%AFM%조격성능
在传统的等离子体增强化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition)技术基础上,通过添加磁场来约束等离子体相中的电子,增加单体有机大分子的电离率,称为磁化等离子体(M-PECVD)技术.实验采用六甲基二硅氧烷和氧气混合气体作为沉积氧化硅薄膜的前驱气体,在厚度为12μm的PET薄膜表面沉积氧化硅薄膜.通过FTIR分析薄膜的结构成分,表明不同的功率对沉积薄膜的结构没有影响,只是对应于1030cm-1的Si-O峰的强度不一样.氧气透过率(OTR)测量发现:随着功率升高,薄膜的OTR先降低,在功率为190W时为最小值(OTR=0.732mL/m2/day);然后随着功率的增大,扫描电镜(Scanning electronic microscopy)OTR上升至2.0mL/m2/day,并保持不变.为了进一步研究薄膜的表面形貌和阻隔性能的关系,通过SEM进行表面相貌分析,发现沉积薄膜表面为有序的棒状结构,并通过薄膜的截面图推算出薄膜沉积速率为4.0nm/s.
在傳統的等離子體增彊化學氣相沉積(plasma-enhanced chemical vapor deposition)技術基礎上,通過添加磁場來約束等離子體相中的電子,增加單體有機大分子的電離率,稱為磁化等離子體(M-PECVD)技術.實驗採用六甲基二硅氧烷和氧氣混閤氣體作為沉積氧化硅薄膜的前驅氣體,在厚度為12μm的PET薄膜錶麵沉積氧化硅薄膜.通過FTIR分析薄膜的結構成分,錶明不同的功率對沉積薄膜的結構沒有影響,隻是對應于1030cm-1的Si-O峰的彊度不一樣.氧氣透過率(OTR)測量髮現:隨著功率升高,薄膜的OTR先降低,在功率為190W時為最小值(OTR=0.732mL/m2/day);然後隨著功率的增大,掃描電鏡(Scanning electronic microscopy)OTR上升至2.0mL/m2/day,併保持不變.為瞭進一步研究薄膜的錶麵形貌和阻隔性能的關繫,通過SEM進行錶麵相貌分析,髮現沉積薄膜錶麵為有序的棒狀結構,併通過薄膜的截麵圖推算齣薄膜沉積速率為4.0nm/s.
재전통적등리자체증강화학기상침적(plasma-enhanced chemical vapor deposition)기술기출상,통과첨가자장래약속등리자체상중적전자,증가단체유궤대분자적전리솔,칭위자화등리자체(M-PECVD)기술.실험채용륙갑기이규양완화양기혼합기체작위침적양화규박막적전구기체,재후도위12μm적PET박막표면침적양화규박막.통과FTIR분석박막적결구성분,표명불동적공솔대침적박막적결구몰유영향,지시대응우1030cm-1적Si-O봉적강도불일양.양기투과솔(OTR)측량발현:수착공솔승고,박막적OTR선강저,재공솔위190W시위최소치(OTR=0.732mL/m2/day);연후수착공솔적증대,소묘전경(Scanning electronic microscopy)OTR상승지2.0mL/m2/day,병보지불변.위료진일보연구박막적표면형모화조격성능적관계,통과SEM진행표면상모분석,발현침적박막표면위유서적봉상결구,병통과박막적절면도추산출박막침적속솔위4.0nm/s.
