半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
7期
1334-1337
,共4页
何金孝%段垚%王晓峰%崔军朋%曾一平%李晋闽
何金孝%段垚%王曉峰%崔軍朋%曾一平%李晉閩
하금효%단요%왕효봉%최군붕%증일평%리진민
ZnO单晶厚膜%MVPE%ZnAl2O4缓冲层%溶胶-凝胶法%ZnO-Al2O3固溶体%DCXRD
ZnO單晶厚膜%MVPE%ZnAl2O4緩遲層%溶膠-凝膠法%ZnO-Al2O3固溶體%DCXRD
ZnO단정후막%MVPE%ZnAl2O4완충층%용효-응효법%ZnO-Al2O3고용체%DCXRD
首次报道了通过引入ZnAl2O4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl2O4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl2O4缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和良好的晶体质量(摇摆曲线半高宽为342").用电子扫描显微镜(SEM)观察样品横截面,并测得样品厚度约为10μm.
首次報道瞭通過引入ZnAl2O4緩遲層,以金屬源化學氣相外延法(MVPE)生長的ZnO晶體質量明顯提高.ZnAl2O4緩遲層是通過對溶膠-凝膠法製備的ZnO薄膜進行高溫退火而得到的.用雙晶X射線衍射儀(DCXRD)對樣品進行瞭θ-2θ和搖襬麯線測量,在ZnAl2O4緩遲層上生長的ZnO厚膜具有高度的擇優取嚮性和良好的晶體質量(搖襬麯線半高寬為342").用電子掃描顯微鏡(SEM)觀察樣品橫截麵,併測得樣品厚度約為10μm.
수차보도료통과인입ZnAl2O4완충층,이금속원화학기상외연법(MVPE)생장적ZnO정체질량명현제고.ZnAl2O4완충층시통과대용효-응효법제비적ZnO박막진행고온퇴화이득도적.용쌍정X사선연사의(DCXRD)대양품진행료θ-2θ화요파곡선측량,재ZnAl2O4완충층상생장적ZnO후막구유고도적택우취향성화량호적정체질량(요파곡선반고관위342").용전자소묘현미경(SEM)관찰양품횡절면,병측득양품후도약위10μm.
