人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2008年
5期
1051-1055
,共5页
ZnSe单晶%一步生长%输运剂
ZnSe單晶%一步生長%輸運劑
ZnSe단정%일보생장%수운제
本文直接以高纯Zn、Se单质为原料,加入少量碘单质作为反应输运剂,用化学气相输运(CVT)的方法一步成功的生长出了ZnSe单晶.采用XRD、EDS、紫外可见分光光度计和光致发光(PL)技术研究了生长的ZnSe晶体的结构、成份以及光学特性.结果表明,生长的ZnSe单晶具有较好结晶性能,成份接近理想的化学计量比,在500～2000nm范围内透过率达到65%～70%,在1.9～2.5 eV范围内存在与Zn空位和杂质能级相关的发光带.由Zn和Se单质在输运剂I2的辅助下一步直接生长ZnSe单晶是可行的.
本文直接以高純Zn、Se單質為原料,加入少量碘單質作為反應輸運劑,用化學氣相輸運(CVT)的方法一步成功的生長齣瞭ZnSe單晶.採用XRD、EDS、紫外可見分光光度計和光緻髮光(PL)技術研究瞭生長的ZnSe晶體的結構、成份以及光學特性.結果錶明,生長的ZnSe單晶具有較好結晶性能,成份接近理想的化學計量比,在500～2000nm範圍內透過率達到65%～70%,在1.9～2.5 eV範圍內存在與Zn空位和雜質能級相關的髮光帶.由Zn和Se單質在輸運劑I2的輔助下一步直接生長ZnSe單晶是可行的.
본문직접이고순Zn、Se단질위원료,가입소량전단질작위반응수운제,용화학기상수운(CVT)적방법일보성공적생장출료ZnSe단정.채용XRD、EDS、자외가견분광광도계화광치발광(PL)기술연구료생장적ZnSe정체적결구、성빈이급광학특성.결과표명,생장적ZnSe단정구유교호결정성능,성빈접근이상적화학계량비,재500～2000nm범위내투과솔체도65%～70%,재1.9～2.5 eV범위내존재여Zn공위화잡질능급상관적발광대.유Zn화Se단질재수운제I2적보조하일보직접생장ZnSe단정시가행적.
