半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
2期
113-118
,共6页
系统封装%玻璃板上封装%挠性载带包覆芯片级封装%低温焊接
繫統封裝%玻璃闆上封裝%撓性載帶包覆芯片級封裝%低溫銲接
계통봉장%파리판상봉장%뇨성재대포복심편급봉장%저온한접
现今集成电路的特征线宽即将进入亚0.1nm时代,根据量子效应这将是半导体集成的极限尺寸,电子产品小型化将更有赖于封装技术的进步.概括总结了SiP三维封装、液晶面板用树脂芯凸点COG封装、低温焊接等技术的最新进展.并对SiP三维封装技术中封装叠层FFCSP技术进行了着重的阐述.指出随着低温焊接、连接部树脂补强以及与Si热膨胀系数相近基板的出现,电子封装构造的精细化才能成为可能,为各种高密度封装、三维封装打下坚实基础.
現今集成電路的特徵線寬即將進入亞0.1nm時代,根據量子效應這將是半導體集成的極限呎吋,電子產品小型化將更有賴于封裝技術的進步.概括總結瞭SiP三維封裝、液晶麵闆用樹脂芯凸點COG封裝、低溫銲接等技術的最新進展.併對SiP三維封裝技術中封裝疊層FFCSP技術進行瞭著重的闡述.指齣隨著低溫銲接、連接部樹脂補彊以及與Si熱膨脹繫數相近基闆的齣現,電子封裝構造的精細化纔能成為可能,為各種高密度封裝、三維封裝打下堅實基礎.
현금집성전로적특정선관즉장진입아0.1nm시대,근거양자효응저장시반도체집성적겁한척촌,전자산품소형화장경유뢰우봉장기술적진보.개괄총결료SiP삼유봉장、액정면판용수지심철점COG봉장、저온한접등기술적최신진전.병대SiP삼유봉장기술중봉장첩층FFCSP기술진행료착중적천술.지출수착저온한접、련접부수지보강이급여Si열팽창계수상근기판적출현,전자봉장구조적정세화재능성위가능,위각충고밀도봉장、삼유봉장타하견실기출.
