红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2010年
6期
431-434
,共4页
孟庆端%吕衍秋%鲁正雄%孙维国
孟慶耑%呂衍鞦%魯正雄%孫維國
맹경단%려연추%로정웅%손유국
ANSYS%焦平面%InSb%结构应力
ANSYS%焦平麵%InSb%結構應力
ANSYS%초평면%InSb%결구응력
借助有限元软件系统分析了铟柱取不同直径时红外探测器整体结构的应力分布.模拟结果表明,在固定铟柱高度的前提下,当铟柱直径以2μm的步长从36μm减小到18μm的过程中,InSb芯片上的最大应力值呈现出先减小,后线性增加的趋势,但铟柱上应力最大值始终保持在15.7MPa左右,且分布几乎不变.Si读出电路上的应力小于InSb芯片上的应力值,变化趋势类同于InSb芯片上应力的变化趋势.铟柱直径取30μm时,InSb芯片和Si读出电路上的应力均达到最小值260MPa 和140MPa,整个器件的应力分布在接触区呈现明显的集中性、均匀性,分布更合理.
藉助有限元軟件繫統分析瞭銦柱取不同直徑時紅外探測器整體結構的應力分佈.模擬結果錶明,在固定銦柱高度的前提下,噹銦柱直徑以2μm的步長從36μm減小到18μm的過程中,InSb芯片上的最大應力值呈現齣先減小,後線性增加的趨勢,但銦柱上應力最大值始終保持在15.7MPa左右,且分佈幾乎不變.Si讀齣電路上的應力小于InSb芯片上的應力值,變化趨勢類同于InSb芯片上應力的變化趨勢.銦柱直徑取30μm時,InSb芯片和Si讀齣電路上的應力均達到最小值260MPa 和140MPa,整箇器件的應力分佈在接觸區呈現明顯的集中性、均勻性,分佈更閤理.
차조유한원연건계통분석료인주취불동직경시홍외탐측기정체결구적응력분포.모의결과표명,재고정인주고도적전제하,당인주직경이2μm적보장종36μm감소도18μm적과정중,InSb심편상적최대응력치정현출선감소,후선성증가적추세,단인주상응력최대치시종보지재15.7MPa좌우,차분포궤호불변.Si독출전로상적응력소우InSb심편상적응력치,변화추세류동우InSb심편상응력적변화추세.인주직경취30μm시,InSb심편화Si독출전로상적응력균체도최소치260MPa 화140MPa,정개기건적응력분포재접촉구정현명현적집중성、균균성,분포경합리.
