光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2012年
6期
700-703
,共4页
张君善%郭林肖%高斐%刘晓静%宋美周%李宁
張君善%郭林肖%高斐%劉曉靜%宋美週%李寧
장군선%곽림초%고비%류효정%송미주%리저
CuO薄膜%磁控溅射%p-n结%光伏特性
CuO薄膜%磁控濺射%p-n結%光伏特性
CuO박막%자공천사%p-n결%광복특성
通过反应碰控溅射在n型硅和玻璃衬底上制备了p型CuO薄膜,使用X射线衍射仪和紫外-可见光近红外光度计研究了p型CuO薄膜的结构和光学特性,得出其平均晶粒尺寸和光学带隙分别为8 nm和1.36 eV.通过研究其电压-电流关系确定了在p型CuO薄膜和n型硅衬底之间形成了p-n结.在AM 1.5光照条件下p-CuO/n-Si电池的开路电压为0.33 V,短路电流密度为6.27 mA/cm2,填充因数和能量转化效率分别为0.2和0.41％.
通過反應踫控濺射在n型硅和玻璃襯底上製備瞭p型CuO薄膜,使用X射線衍射儀和紫外-可見光近紅外光度計研究瞭p型CuO薄膜的結構和光學特性,得齣其平均晶粒呎吋和光學帶隙分彆為8 nm和1.36 eV.通過研究其電壓-電流關繫確定瞭在p型CuO薄膜和n型硅襯底之間形成瞭p-n結.在AM 1.5光照條件下p-CuO/n-Si電池的開路電壓為0.33 V,短路電流密度為6.27 mA/cm2,填充因數和能量轉化效率分彆為0.2和0.41％.
통과반응팽공천사재n형규화파리츤저상제비료p형CuO박막,사용X사선연사의화자외-가견광근홍외광도계연구료p형CuO박막적결구화광학특성,득출기평균정립척촌화광학대극분별위8 nm화1.36 eV.통과연구기전압-전류관계학정료재p형CuO박막화n형규츤저지간형성료p-n결.재AM 1.5광조조건하p-CuO/n-Si전지적개로전압위0.33 V,단로전류밀도위6.27 mA/cm2,전충인수화능량전화효솔분별위0.2화0.41％.
