采用喇曼散射和光热偏转谱法研究微晶硅薄膜结构
채용나만산사화광열편전보법연구미정규박막결구
Structure Studies of Microcrystalline Silicon Thin Film Using Raman Scattering and Photo Thermal Deflection Spectra
  • 万方数据
    光电子·激光 광전자·격광
    JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
    2005年 2期 167-170 ,共4页

    张晓丹%赵颖%朱锋%魏长春%麦耀华%高艳涛%孙建%侯国付%耿新华%熊绍珍

    장효단%조영%주봉%위장춘%맥요화%고염도%손건%후국부%경신화%웅소진

    微晶Si(μc-Si)薄膜%喇曼光谱%光热偏转谱(PDS) 微晶Si(μc-Si)薄膜%喇曼光譜%光熱偏轉譜(PDS)
    미정Si(μc-Si)박막%나만광보%광열편전보(PDS)
    采用VHF-PECVD技术制备了不同结构的Si薄膜,用喇曼(Raman)散射光谱和光热偏转谱(PDS)分别对材料的结构进行了研究.结果表明:Si薄膜的结构随温度的升高、功率的增大及H稀释的加大逐渐由非晶转变为微晶,同喇曼谱相比,PDS也可粗略地估计材料的结构变化;即使是同一种材料,恒定光电导谱(CPM)和PDS的测试结果是不同的,PDS能更准确地反映材料的实际信息.综合PDS和喇曼谱的测试结果认为,制备出了高质量的微晶Si(μc-Si)薄膜.
    채용VHF-PECVD기술제비료불동결구적Si박막,용나만(Raman)산사광보화광열편전보(PDS)분별대재료적결구진행료연구.결과표명:Si박막적결구수온도적승고、공솔적증대급H희석적가대축점유비정전변위미정,동나만보상비,PDS야가조략지고계재료적결구변화;즉사시동일충재료,항정광전도보(CPM)화PDS적측시결과시불동적,PDS능경준학지반영재료적실제신식.종합PDS화나만보적측시결과인위,제비출료고질량적미정Si(μc-Si)박막.
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