半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2005年
3期
48-49
,共2页
硅单晶%电阻率%辐照%缺陷%热处理
硅單晶%電阻率%輻照%缺陷%熱處理
규단정%전조솔%복조%결함%열처리
CZ硅单晶受中子辐照,产生辐照缺陷,使其电阻率相对于其原始值有一定的偏差,经氮气气氛、650～700℃热处理,其电阻率可以基本恢复原始值.
CZ硅單晶受中子輻照,產生輻照缺陷,使其電阻率相對于其原始值有一定的偏差,經氮氣氣氛、650～700℃熱處理,其電阻率可以基本恢複原始值.
CZ규단정수중자복조,산생복조결함,사기전조솔상대우기원시치유일정적편차,경담기기분、650～700℃열처리,기전조솔가이기본회복원시치.
