物理学报
物理學報
물이학보
2006年
2期
860-864
,共5页
彭子龙%韩秀峰%赵素芬%魏红祥%杜关祥%詹文山
彭子龍%韓秀峰%趙素芬%魏紅祥%杜關祥%詹文山
팽자룡%한수봉%조소분%위홍상%두관상%첨문산
垂直电流%磁性隧道结%磁随机存储器
垂直電流%磁性隧道結%磁隨機存儲器
수직전류%자성수도결%자수궤존저기
在基于磁性隧道结(Magnetic Tunneling Junction,MTJ)的磁随机存储器(Magnetoresistantive Random Access Memory,MRAM)中利用通过MTJ的垂直电流,实现信息写入的新方法,同时给出了基于此新方法的一种新的MRAM结构和驱动原理图,并分析了它的读和写操作的可行性具体过程.
在基于磁性隧道結(Magnetic Tunneling Junction,MTJ)的磁隨機存儲器(Magnetoresistantive Random Access Memory,MRAM)中利用通過MTJ的垂直電流,實現信息寫入的新方法,同時給齣瞭基于此新方法的一種新的MRAM結構和驅動原理圖,併分析瞭它的讀和寫操作的可行性具體過程.
재기우자성수도결(Magnetic Tunneling Junction,MTJ)적자수궤존저기(Magnetoresistantive Random Access Memory,MRAM)중이용통과MTJ적수직전류,실현신식사입적신방법,동시급출료기우차신방법적일충신적MRAM결구화구동원리도,병분석료타적독화사조작적가행성구체과정.
