物理学报
物理學報
물이학보
2007年
4期
2422-2427
,共6页
周炳卿%刘丰珍%朱美芳%周玉琴%吴忠华%陈兴
週炳卿%劉豐珍%硃美芳%週玉琴%吳忠華%陳興
주병경%류봉진%주미방%주옥금%오충화%진흥
X射线掠角反射%微晶硅薄膜%表面粗糙度%生长机制
X射線掠角反射%微晶硅薄膜%錶麵粗糙度%生長機製
X사선략각반사%미정규박막%표면조조도%생장궤제
采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积一系列处于不同生长阶段的微晶硅薄膜.通过同步辐射X射线掠角反射技术研究微晶硅薄膜的表面粗糙度随时间等的演化,探讨微晶硅薄膜的生长动力学过程及其生长机制.研究结果表明,在衬底温度为200 ℃,电极间距为2 cm,沉积气压为6.66×102 Pa,射频功率密度为0.22 W/cm2,氢稀释度分别为99%和98%的沉积条件下,在玻璃衬底上生长的微晶硅薄膜生长指数β分别为0.21±0.01和0.24±0.01.根据KPZ模型,微晶硅薄膜的生长机制为有限扩散生长.
採用等離子體增彊化學氣相沉積技術沉積一繫列處于不同生長階段的微晶硅薄膜.通過同步輻射X射線掠角反射技術研究微晶硅薄膜的錶麵粗糙度隨時間等的縯化,探討微晶硅薄膜的生長動力學過程及其生長機製.研究結果錶明,在襯底溫度為200 ℃,電極間距為2 cm,沉積氣壓為6.66×102 Pa,射頻功率密度為0.22 W/cm2,氫稀釋度分彆為99%和98%的沉積條件下,在玻璃襯底上生長的微晶硅薄膜生長指數β分彆為0.21±0.01和0.24±0.01.根據KPZ模型,微晶硅薄膜的生長機製為有限擴散生長.
채용등리자체증강화학기상침적기술침적일계렬처우불동생장계단적미정규박막.통과동보복사X사선략각반사기술연구미정규박막적표면조조도수시간등적연화,탐토미정규박막적생장동역학과정급기생장궤제.연구결과표명,재츤저온도위200 ℃,전겁간거위2 cm,침적기압위6.66×102 Pa,사빈공솔밀도위0.22 W/cm2,경희석도분별위99%화98%적침적조건하,재파리츤저상생장적미정규박막생장지수β분별위0.21±0.01화0.24±0.01.근거KPZ모형,미정규박막적생장궤제위유한확산생장.
