红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2007年
4期
443-446
,共4页
烘烤%Ⅰ-Ⅴ%碲镉汞%电流机制
烘烤%Ⅰ-Ⅴ%碲鎘汞%電流機製
홍고%Ⅰ-Ⅴ%제력홍%전류궤제
对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验.烘烤温度从60℃开始,步长为5℃,到120℃结束,每个温度下的烘烤时间一般为24 h.实验结果显示当烘烤温度达到95℃以上时,Ⅰ-Ⅴ测试结果中反偏部分的电流有明显增大.通过理论分析得到扩散电流和产生复合电流是实验芯片的主要电流机制;较高温度的烘烤在势垒区内产生大量的缺陷,从而降低芯片的少子寿命,使扩散电流增大;同时芯片表面钝化层内的缺陷数目也在温度作用下增加,引起芯片表面复合速度增加.
對室溫工作的短波碲鎘汞光伏芯片進行瞭步進溫度烘烤實驗.烘烤溫度從60℃開始,步長為5℃,到120℃結束,每箇溫度下的烘烤時間一般為24 h.實驗結果顯示噹烘烤溫度達到95℃以上時,Ⅰ-Ⅴ測試結果中反偏部分的電流有明顯增大.通過理論分析得到擴散電流和產生複閤電流是實驗芯片的主要電流機製;較高溫度的烘烤在勢壘區內產生大量的缺陷,從而降低芯片的少子壽命,使擴散電流增大;同時芯片錶麵鈍化層內的缺陷數目也在溫度作用下增加,引起芯片錶麵複閤速度增加.
대실온공작적단파제력홍광복심편진행료보진온도홍고실험.홍고온도종60℃개시,보장위5℃,도120℃결속,매개온도하적홍고시간일반위24 h.실험결과현시당홍고온도체도95℃이상시,Ⅰ-Ⅴ측시결과중반편부분적전류유명현증대.통과이론분석득도확산전류화산생복합전류시실험심편적주요전류궤제;교고온도적홍고재세루구내산생대량적결함,종이강저심편적소자수명,사확산전류증대;동시심편표면둔화층내적결함수목야재온도작용하증가,인기심편표면복합속도증가.
