光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2008年
6期
1169-1174
,共6页
谭天亚%邵建达%范正修%吴炜%郭永新%韩宇
譚天亞%邵建達%範正脩%吳煒%郭永新%韓宇
담천아%소건체%범정수%오위%곽영신%한우
光学薄膜%四倍频增透膜%矢量法%LBO晶体%容差分析
光學薄膜%四倍頻增透膜%矢量法%LBO晶體%容差分析
광학박막%사배빈증투막%시량법%LBO정체%용차분석
采用矢量法设计了三硼酸锂(LiB3O5,LBO)晶体上1 064 nm、532 nm、355 nm和266 nm四倍频增透膜.结果表明,在1 064 nm、532 nm、355 nm和266 nm波长的剩余反射率分别为0.001 9%、0.003 1%、0.006 1%和0.004 7%.根据容差分析,薄膜制备时沉积速率准确度控制在+6.5%时,基频、二倍频、三倍频和四倍频波长的剩余反射率分别增加至0.24%、0.92%、2.38%和4.37%.当薄膜材料折射率的变化控制在+3%时,1 064 nm波长的剩余反射率增大为0.18%,532 nm、355 nm和266 nm波长分别达0.61%,0.59%,0.20%.与薄膜物理厚度相比,膜层折射率对剩余反射率的影响大.对膜系敏感层的分析表明,在1 064 nm和266 nm波长,从入射介质向基底过渡的第二层膜厚度变化对剩余反射率的影响最大,其次是第一膜层.在532 nm和355 nm波长,从入射介质向基底过渡的第一和第四膜层是该膜系的敏感层.误差分析也表明,薄膜材料的色散对特定波长的剩余反射率具有明显影响,即1 064 nm、532 nm、355 nm和266 nm波长的剩余反射率分别增加至0.30%、0.23%、0.58%和3.13%.
採用矢量法設計瞭三硼痠鋰(LiB3O5,LBO)晶體上1 064 nm、532 nm、355 nm和266 nm四倍頻增透膜.結果錶明,在1 064 nm、532 nm、355 nm和266 nm波長的剩餘反射率分彆為0.001 9%、0.003 1%、0.006 1%和0.004 7%.根據容差分析,薄膜製備時沉積速率準確度控製在+6.5%時,基頻、二倍頻、三倍頻和四倍頻波長的剩餘反射率分彆增加至0.24%、0.92%、2.38%和4.37%.噹薄膜材料摺射率的變化控製在+3%時,1 064 nm波長的剩餘反射率增大為0.18%,532 nm、355 nm和266 nm波長分彆達0.61%,0.59%,0.20%.與薄膜物理厚度相比,膜層摺射率對剩餘反射率的影響大.對膜繫敏感層的分析錶明,在1 064 nm和266 nm波長,從入射介質嚮基底過渡的第二層膜厚度變化對剩餘反射率的影響最大,其次是第一膜層.在532 nm和355 nm波長,從入射介質嚮基底過渡的第一和第四膜層是該膜繫的敏感層.誤差分析也錶明,薄膜材料的色散對特定波長的剩餘反射率具有明顯影響,即1 064 nm、532 nm、355 nm和266 nm波長的剩餘反射率分彆增加至0.30%、0.23%、0.58%和3.13%.
채용시량법설계료삼붕산리(LiB3O5,LBO)정체상1 064 nm、532 nm、355 nm화266 nm사배빈증투막.결과표명,재1 064 nm、532 nm、355 nm화266 nm파장적잉여반사솔분별위0.001 9%、0.003 1%、0.006 1%화0.004 7%.근거용차분석,박막제비시침적속솔준학도공제재+6.5%시,기빈、이배빈、삼배빈화사배빈파장적잉여반사솔분별증가지0.24%、0.92%、2.38%화4.37%.당박막재료절사솔적변화공제재+3%시,1 064 nm파장적잉여반사솔증대위0.18%,532 nm、355 nm화266 nm파장분별체0.61%,0.59%,0.20%.여박막물리후도상비,막층절사솔대잉여반사솔적영향대.대막계민감층적분석표명,재1 064 nm화266 nm파장,종입사개질향기저과도적제이층막후도변화대잉여반사솔적영향최대,기차시제일막층.재532 nm화355 nm파장,종입사개질향기저과도적제일화제사막층시해막계적민감층.오차분석야표명,박막재료적색산대특정파장적잉여반사솔구유명현영향,즉1 064 nm、532 nm、355 nm화266 nm파장적잉여반사솔분별증가지0.30%、0.23%、0.58%화3.13%.