固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
2期
192-198
,共7页
伍青青%陈静%罗杰馨%肖德元%王曦
伍青青%陳靜%囉傑馨%肖德元%王晞
오청청%진정%라걸형%초덕원%왕희
场效应晶体管%集约模型%BSIM模型%HiSIM模型%PSP模型
場效應晶體管%集約模型%BSIM模型%HiSIM模型%PSP模型
장효응정체관%집약모형%BSIM모형%HiSIM모형%PSP모형
MOSFET集约模型作为连接半导体生产商与电路设计者之间的桥梁,是半导体行业不可或缺的一环.随着对器件物理效应的不断深入了解,以及不断满足电路设计新要求,MOSFET集约模型经历了长时间的发展.从模型的基础出发,介绍了基于阈值电压Vth、反型层电荷Q和表面势Φ这三类MOSFET集约模型的发展历程及其主要特征.
MOSFET集約模型作為連接半導體生產商與電路設計者之間的橋樑,是半導體行業不可或缺的一環.隨著對器件物理效應的不斷深入瞭解,以及不斷滿足電路設計新要求,MOSFET集約模型經歷瞭長時間的髮展.從模型的基礎齣髮,介紹瞭基于閾值電壓Vth、反型層電荷Q和錶麵勢Φ這三類MOSFET集約模型的髮展歷程及其主要特徵.
MOSFET집약모형작위련접반도체생산상여전로설계자지간적교량,시반도체행업불가혹결적일배.수착대기건물리효응적불단심입료해,이급불단만족전로설계신요구,MOSFET집약모형경력료장시간적발전.종모형적기출출발,개소료기우역치전압Vth、반형층전하Q화표면세Φ저삼류MOSFET집약모형적발전역정급기주요특정.
