仪表技术与传感器
儀錶技術與傳感器
의표기술여전감기
INSTRUMENT TECHNIQUE AND SENSOR
2010年
7期
7-9
,共3页
介孔%Pd-SnO2薄膜%蒸发诱导自组装%气敏
介孔%Pd-SnO2薄膜%蒸髮誘導自組裝%氣敏
개공%Pd-SnO2박막%증발유도자조장%기민
采用蒸发诱导自组装工艺制备了Pd-SnO2介孔金属氧化物薄膜.采用静态配气法,研究了Pd掺杂量对SnO2元件气敏性的影响,并通过测定电化学阻抗谱,分析了介孔金属氧化物的气敏机理.结果表明:Pd掺杂降低了SnO2元件对氢气初始响应温度,并提高了元件对氢气灵敏度;Pd掺杂量为0.5%时,SnO2元件对氢气的气敏性最好;温度为175 ℃时,0.5%Pd-SnO2对体积分数为1 000×10-6氢气灵敏度为22.6;阻抗分析表明,通入还原性气体后,氧化物的晶界电阻明显减小.
採用蒸髮誘導自組裝工藝製備瞭Pd-SnO2介孔金屬氧化物薄膜.採用靜態配氣法,研究瞭Pd摻雜量對SnO2元件氣敏性的影響,併通過測定電化學阻抗譜,分析瞭介孔金屬氧化物的氣敏機理.結果錶明:Pd摻雜降低瞭SnO2元件對氫氣初始響應溫度,併提高瞭元件對氫氣靈敏度;Pd摻雜量為0.5%時,SnO2元件對氫氣的氣敏性最好;溫度為175 ℃時,0.5%Pd-SnO2對體積分數為1 000×10-6氫氣靈敏度為22.6;阻抗分析錶明,通入還原性氣體後,氧化物的晶界電阻明顯減小.
채용증발유도자조장공예제비료Pd-SnO2개공금속양화물박막.채용정태배기법,연구료Pd참잡량대SnO2원건기민성적영향,병통과측정전화학조항보,분석료개공금속양화물적기민궤리.결과표명:Pd참잡강저료SnO2원건대경기초시향응온도,병제고료원건대경기령민도;Pd참잡량위0.5%시,SnO2원건대경기적기민성최호;온도위175 ℃시,0.5%Pd-SnO2대체적분수위1 000×10-6경기령민도위22.6;조항분석표명,통입환원성기체후,양화물적정계전조명현감소.
