电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
11期
12-15
,共4页
黎彬%赵华%杨天应%蒋书文
黎彬%趙華%楊天應%蔣書文
려빈%조화%양천응%장서문
铌酸铋镁(BMN)薄膜%射频磁控溅射%介电调谐率%介质损耗
鈮痠鉍鎂(BMN)薄膜%射頻磁控濺射%介電調諧率%介質損耗
니산필미(BMN)박막%사빈자공천사%개전조해솔%개질손모
采用射频磁控溅射法在Pt/Si基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜.研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响.结果表明,制备的薄膜具有立方焦绿石结构.高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺寸比低溅射气压下制备的薄膜晶粒的大.薄膜的介电调谐率及相对介电常数随溅射气压的升高而增大.且随着溅射气压的升高,薄膜中各元素含量逐渐接近理论值.在基片温度为675℃,溅射气压为5Pa,体积比ψ(O2∶Ar)为15∶85的条件下制备得到的BMN薄膜在1.6× 106 V/cm外加电场下的介电调谐率为26％,介质损耗约0.8％；在5.0×105 V/cm外加电场下其漏电流密度不超过6×10-8 A/cm2.
採用射頻磁控濺射法在Pt/Si基片上沉積瞭鈮痠鉍鎂(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜.研究瞭濺射氣壓對BMN薄膜結構、錶麵形貌、化學成分及介電性能的影響.結果錶明,製備的薄膜具有立方焦綠石結構.高濺射氣壓下製備的BMN薄膜晶粒的平均呎吋比低濺射氣壓下製備的薄膜晶粒的大.薄膜的介電調諧率及相對介電常數隨濺射氣壓的升高而增大.且隨著濺射氣壓的升高,薄膜中各元素含量逐漸接近理論值.在基片溫度為675℃,濺射氣壓為5Pa,體積比ψ(O2∶Ar)為15∶85的條件下製備得到的BMN薄膜在1.6× 106 V/cm外加電場下的介電調諧率為26％,介質損耗約0.8％；在5.0×105 V/cm外加電場下其漏電流密度不超過6×10-8 A/cm2.
채용사빈자공천사법재Pt/Si기편상침적료니산필미(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)박막.연구료천사기압대BMN박막결구、표면형모、화학성분급개전성능적영향.결과표명,제비적박막구유립방초록석결구.고천사기압하제비적BMN박막정립적평균척촌비저천사기압하제비적박막정립적대.박막적개전조해솔급상대개전상수수천사기압적승고이증대.차수착천사기압적승고,박막중각원소함량축점접근이론치.재기편온도위675℃,천사기압위5Pa,체적비ψ(O2∶Ar)위15∶85적조건하제비득도적BMN박막재1.6× 106 V/cm외가전장하적개전조해솔위26％,개질손모약0.8％；재5.0×105 V/cm외가전장하기루전류밀도불초과6×10-8 A/cm2.
