电子技术应用
電子技術應用
전자기술응용
APPLICATION OF ELECTRONIC TECHNIQUE
2011年
9期
53-55,59
,共4页
王宁章%唐江波%秦国宾%卢安栋%罗婕思
王寧章%唐江波%秦國賓%盧安棟%囉婕思
왕저장%당강파%진국빈%로안동%라첩사
CMOS%超宽带%低噪声放大器%高阶带通滤波器%并联低Q值负载结构
CMOS%超寬帶%低譟聲放大器%高階帶通濾波器%併聯低Q值負載結構
CMOS%초관대%저조성방대기%고계대통려파기%병련저Q치부재결구
提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA).电路由窄带PCSNIM LNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18 μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器.仿真结果表明,在1.8V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW.在3 GHz～5 GHz 的超宽带频段内,增益约为13.5 dB,输入、输出回波损耗S11、S22均小于-14 dB,噪声系数(NF)为0.875 dB～4.072 dB,三阶交调点IIP3均值为5.35 dB.
提齣瞭一箇低譟聲、高線性的超寬帶低譟聲放大器(UWB LNA).電路由窄帶PCSNIM LNA拓撲結構和併聯低Q負載結構組成,採用TSMC 0.18 μm RFCMOS工藝,併在其輸入輸齣耑引入瞭高階帶通濾波器.倣真結果錶明,在1.8V直流電壓下LNA的功耗約為10.6 mW.在3 GHz～5 GHz 的超寬帶頻段內,增益約為13.5 dB,輸入、輸齣迴波損耗S11、S22均小于-14 dB,譟聲繫數(NF)為0.875 dB～4.072 dB,三階交調點IIP3均值為5.35 dB.
제출료일개저조성、고선성적초관대저조성방대기(UWB LNA).전로유착대PCSNIM LNA탁복결구화병련저Q부재결구조성,채용TSMC 0.18 μm RFCMOS공예,병재기수입수출단인입료고계대통려파기.방진결과표명,재1.8V직류전압하LNA적공모약위10.6 mW.재3 GHz～5 GHz 적초관대빈단내,증익약위13.5 dB,수입、수출회파손모S11、S22균소우-14 dB,조성계수(NF)위0.875 dB～4.072 dB,삼계교조점IIP3균치위5.35 dB.
