光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2001年
6期
549-551
,共3页
半导体激光器%应变单量子阱%M2因子
半導體激光器%應變單量子阱%M2因子
반도체격광기%응변단양자정%M2인자
本文应用非傍轴矢量矩理论,分析了670 nm AlGaInP/GaInP分别限制应变单量子阱(SCH SSQW)激光器在弱激射和正常激射条件下的垂直于结面方向的光束质量因子M2 .分析结果表明,在两种情况下,M2均小于1,而且前者具有更小的M2 .
本文應用非傍軸矢量矩理論,分析瞭670 nm AlGaInP/GaInP分彆限製應變單量子阱(SCH SSQW)激光器在弱激射和正常激射條件下的垂直于結麵方嚮的光束質量因子M2 .分析結果錶明,在兩種情況下,M2均小于1,而且前者具有更小的M2 .
본문응용비방축시량구이론,분석료670 nm AlGaInP/GaInP분별한제응변단양자정(SCH SSQW)격광기재약격사화정상격사조건하적수직우결면방향적광속질량인자M2 .분석결과표명,재량충정황하,M2균소우1,이차전자구유경소적M2 .
