苏州大学学报(自然科学版)
囌州大學學報(自然科學版)
소주대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF SUZHOU UNIVERSITY NATURAL SCIENCE
2003年
4期
68-73
,共6页
氟化非晶碳氢薄膜%红外分析%C-V曲线
氟化非晶碳氫薄膜%紅外分析%C-V麯線
불화비정탄경박막%홍외분석%C-V곡선
通过感应耦合等离子体(ICP)化学气相沉积方法并利用C4F8和H2的混合气体制备了氟化非晶碳氢(a-C:F,H)薄膜.使用红外光谱仪分析了薄膜的结构.研究了金属Al/a-C:F、H/SiMIS结构在不同环境光和不同频率下的电容-电压(C-V)特性.红外结果表明,在800cm～1 800cm-1和2 700～3 100cm-1的波数范围内,薄膜存在大量的C=C、C-F和C-H的振动结构.从薄膜的C-V曲线的计算结果表明,薄膜当中的缺陷电荷约为1.07×1010cm-2,这些电荷主要局域在C=C双键周围.同时,由于界面陷阱电荷的存在,使得C-V曲线随着测试频率的增加向负偏置方向偏移.
通過感應耦閤等離子體(ICP)化學氣相沉積方法併利用C4F8和H2的混閤氣體製備瞭氟化非晶碳氫(a-C:F,H)薄膜.使用紅外光譜儀分析瞭薄膜的結構.研究瞭金屬Al/a-C:F、H/SiMIS結構在不同環境光和不同頻率下的電容-電壓(C-V)特性.紅外結果錶明,在800cm～1 800cm-1和2 700～3 100cm-1的波數範圍內,薄膜存在大量的C=C、C-F和C-H的振動結構.從薄膜的C-V麯線的計算結果錶明,薄膜噹中的缺陷電荷約為1.07×1010cm-2,這些電荷主要跼域在C=C雙鍵週圍.同時,由于界麵陷阱電荷的存在,使得C-V麯線隨著測試頻率的增加嚮負偏置方嚮偏移.
통과감응우합등리자체(ICP)화학기상침적방법병이용C4F8화H2적혼합기체제비료불화비정탄경(a-C:F,H)박막.사용홍외광보의분석료박막적결구.연구료금속Al/a-C:F、H/SiMIS결구재불동배경광화불동빈솔하적전용-전압(C-V)특성.홍외결과표명,재800cm～1 800cm-1화2 700～3 100cm-1적파수범위내,박막존재대량적C=C、C-F화C-H적진동결구.종박막적C-V곡선적계산결과표명,박막당중적결함전하약위1.07×1010cm-2,저사전하주요국역재C=C쌍건주위.동시,유우계면함정전하적존재,사득C-V곡선수착측시빈솔적증가향부편치방향편이.
