固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
1期
12-15,88
,共5页
张大伟%章浩%余志平%田立林
張大偉%章浩%餘誌平%田立林
장대위%장호%여지평%전립림
二维量子力学效应%WKB理论%全解析电荷模型%亚50纳米%金属氧化物半导体场效应晶体管
二維量子力學效應%WKB理論%全解析電荷模型%亞50納米%金屬氧化物半導體場效應晶體管
이유양자역학효응%WKB이론%전해석전하모형%아50납미%금속양화물반도체장효응정체관
在亚50 nm的MOSFET中,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其对于阈电压的修正.在此基础上,对沟道方向的子带作了抛物线近似,从而建立了一个考虑二维量子力学的电荷解析模型.根据该模型,得到二维量子力学修正和沟道长度以及其他工艺参数的关系.与数值模拟结果的比较表明,该解析模型的精度令人满意,并且得出以下结论:二维量子力学效应使阈电压下降,并且在亚50 nm的MOSFET中,这个修正不可忽略.
在亞50 nm的MOSFET中,沿溝道方嚮上的量子力學效應對器件特性有很大的影響.基于WKB理論,攷慮MOSFET中該效應對垂直溝道方嚮上能級的影響,引入瞭其對于閾電壓的脩正.在此基礎上,對溝道方嚮的子帶作瞭拋物線近似,從而建立瞭一箇攷慮二維量子力學的電荷解析模型.根據該模型,得到二維量子力學脩正和溝道長度以及其他工藝參數的關繫.與數值模擬結果的比較錶明,該解析模型的精度令人滿意,併且得齣以下結論:二維量子力學效應使閾電壓下降,併且在亞50 nm的MOSFET中,這箇脩正不可忽略.
재아50 nm적MOSFET중,연구도방향상적양자역학효응대기건특성유흔대적영향.기우WKB이론,고필MOSFET중해효응대수직구도방향상능급적영향,인입료기대우역전압적수정.재차기출상,대구도방향적자대작료포물선근사,종이건립료일개고필이유양자역학적전하해석모형.근거해모형,득도이유양자역학수정화구도장도이급기타공예삼수적관계.여수치모의결과적비교표명,해해석모형적정도령인만의,병차득출이하결론:이유양자역학효응사역전압하강,병차재아50 nm적MOSFET중,저개수정불가홀략.
