光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2005年
3期
314-318
,共5页
聚吡咯衍生物%合成与表征%光学禁带宽度%电导率%三阶非线性极化率
聚吡咯衍生物%閤成與錶徵%光學禁帶寬度%電導率%三階非線性極化率
취필각연생물%합성여표정%광학금대관도%전도솔%삼계비선성겁화솔
以吡咯为原料,通过逐步分子设计合成了聚3-丁酰基吡咯(PBPY)和聚[(3-丁酰基吡咯-2,5-二)对二甲氨基苯甲烯](PBPDMABE).通过氢核磁(1 H-NMR)、傅里叶-红外(FT-IR)、和紫外-可见(UV-Vis)光谱对反应中间体和目标产物的结构进行了详细表征.对PBPY和PBPDMABE粉末进行了I掺杂处理,采用四探针法对本征态和掺杂后的聚合物电导率进行了测量,测试结果表明,经过I掺杂处理后PBPY和PBPDMABE具有较高的电导率,分别为1.3×10-1 S/cm和3.8×10-6 S/cm.根据光学禁带宽度与入射光子能量的关系,计算了PBPY和PBPDMABE薄膜的光学禁带宽度,分别为2.06 eV和1.79 eV.利用后向简并四波混频(DFWM)技术测量了2种聚合物薄膜的三阶非线性极化率.结果表明,在波长为532 nm的激光作用下,PBPY和PBPDMABE的三阶非线性极化率分别为8.75×10-10 esu和4.65×10-8 esu.
以吡咯為原料,通過逐步分子設計閤成瞭聚3-丁酰基吡咯(PBPY)和聚[(3-丁酰基吡咯-2,5-二)對二甲氨基苯甲烯](PBPDMABE).通過氫覈磁(1 H-NMR)、傅裏葉-紅外(FT-IR)、和紫外-可見(UV-Vis)光譜對反應中間體和目標產物的結構進行瞭詳細錶徵.對PBPY和PBPDMABE粉末進行瞭I摻雜處理,採用四探針法對本徵態和摻雜後的聚閤物電導率進行瞭測量,測試結果錶明,經過I摻雜處理後PBPY和PBPDMABE具有較高的電導率,分彆為1.3×10-1 S/cm和3.8×10-6 S/cm.根據光學禁帶寬度與入射光子能量的關繫,計算瞭PBPY和PBPDMABE薄膜的光學禁帶寬度,分彆為2.06 eV和1.79 eV.利用後嚮簡併四波混頻(DFWM)技術測量瞭2種聚閤物薄膜的三階非線性極化率.結果錶明,在波長為532 nm的激光作用下,PBPY和PBPDMABE的三階非線性極化率分彆為8.75×10-10 esu和4.65×10-8 esu.
이필각위원료,통과축보분자설계합성료취3-정선기필각(PBPY)화취[(3-정선기필각-2,5-이)대이갑안기분갑희](PBPDMABE).통과경핵자(1 H-NMR)、부리협-홍외(FT-IR)、화자외-가견(UV-Vis)광보대반응중간체화목표산물적결구진행료상세표정.대PBPY화PBPDMABE분말진행료I참잡처리,채용사탐침법대본정태화참잡후적취합물전도솔진행료측량,측시결과표명,경과I참잡처리후PBPY화PBPDMABE구유교고적전도솔,분별위1.3×10-1 S/cm화3.8×10-6 S/cm.근거광학금대관도여입사광자능량적관계,계산료PBPY화PBPDMABE박막적광학금대관도,분별위2.06 eV화1.79 eV.이용후향간병사파혼빈(DFWM)기술측량료2충취합물박막적삼계비선성겁화솔.결과표명,재파장위532 nm적격광작용하,PBPY화PBPDMABE적삼계비선성겁화솔분별위8.75×10-10 esu화4.65×10-8 esu.