半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
4期
775-780
,共6页
韩益锋%李强%闵昊%谢文录
韓益鋒%李彊%閔昊%謝文錄
한익봉%리강%민호%사문록
射频识别%电子标签%振荡器%低电压%低功耗
射頻識彆%電子標籤%振盪器%低電壓%低功耗
사빈식별%전자표첨%진탕기%저전압%저공모
提出了一种适合射频电子标签应用的振荡器设计方法.针对低电压低功耗的要求,选择了比较简单的振荡器结构,通过调节电流的方法来调节振荡器的输出频率.输出电流与电源无关的偏置电路设计保证了振荡器输出频率的稳定,低功耗的二进制权电流电路提供了很小的寄生参数、较高的电流精度和很小的芯片面积.芯片在Chartered 0.35μm CMOS工艺流片,电源电压为1.2～2V,环形振荡器消耗的平均电流约为6.5μA.
提齣瞭一種適閤射頻電子標籤應用的振盪器設計方法.針對低電壓低功耗的要求,選擇瞭比較簡單的振盪器結構,通過調節電流的方法來調節振盪器的輸齣頻率.輸齣電流與電源無關的偏置電路設計保證瞭振盪器輸齣頻率的穩定,低功耗的二進製權電流電路提供瞭很小的寄生參數、較高的電流精度和很小的芯片麵積.芯片在Chartered 0.35μm CMOS工藝流片,電源電壓為1.2～2V,環形振盪器消耗的平均電流約為6.5μA.
제출료일충괄합사빈전자표첨응용적진탕기설계방법.침대저전압저공모적요구,선택료비교간단적진탕기결구,통과조절전류적방법래조절진탕기적수출빈솔.수출전류여전원무관적편치전로설계보증료진탕기수출빈솔적은정,저공모적이진제권전류전로제공료흔소적기생삼수、교고적전류정도화흔소적심편면적.심편재Chartered 0.35μm CMOS공예류편,전원전압위1.2～2V,배형진탕기소모적평균전류약위6.5μA.
