物理学报
物理學報
물이학보
2003年
1期
188-191
,共4页
何宝平%王桂珍%周辉%龚建成%罗尹虹%姜景和
何寶平%王桂珍%週輝%龔建成%囉尹虹%薑景和
하보평%왕계진%주휘%공건성%라윤홍%강경화
辐射响应%退火%剂量率%失效剂量
輻射響應%退火%劑量率%失效劑量
복사향응%퇴화%제량솔%실효제량
介绍了利用线性响应理论预估CC4007-NMOS器件在剂量率0.1,2.3,44和91rad(Si)/s下的辐射损伤情况,理论预估值和试验结果符合得比较好.利用线性响应理论预估了CC4007-NMOS器件从低剂量率到高剂量率环境下的辐射损伤及25℃长时间退火情况,结果表明,在相同偏压下,高剂量率辐照加室温退火所引起的阈值电压漂移量在误差容许的范围内等于低剂量率辐照的漂移量,两者总的时间相同.利用线性响应理论预估CC4007-NMOS器件在不同剂量率辐照下的失效剂量.
介紹瞭利用線性響應理論預估CC4007-NMOS器件在劑量率0.1,2.3,44和91rad(Si)/s下的輻射損傷情況,理論預估值和試驗結果符閤得比較好.利用線性響應理論預估瞭CC4007-NMOS器件從低劑量率到高劑量率環境下的輻射損傷及25℃長時間退火情況,結果錶明,在相同偏壓下,高劑量率輻照加室溫退火所引起的閾值電壓漂移量在誤差容許的範圍內等于低劑量率輻照的漂移量,兩者總的時間相同.利用線性響應理論預估CC4007-NMOS器件在不同劑量率輻照下的失效劑量.
개소료이용선성향응이론예고CC4007-NMOS기건재제량솔0.1,2.3,44화91rad(Si)/s하적복사손상정황,이론예고치화시험결과부합득비교호.이용선성향응이론예고료CC4007-NMOS기건종저제량솔도고제량솔배경하적복사손상급25℃장시간퇴화정황,결과표명,재상동편압하,고제량솔복조가실온퇴화소인기적역치전압표이량재오차용허적범위내등우저제량솔복조적표이량,량자총적시간상동.이용선성향응이론예고CC4007-NMOS기건재불동제량솔복조하적실효제량.
