半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2004年
12期
45-47,51
,共4页
黄雒光%赵丽华%刘英坤%张鸿亮%潘茹
黃雒光%趙麗華%劉英坤%張鴻亮%潘茹
황락광%조려화%류영곤%장홍량%반여
硅%微波%脉冲%功率晶体管:内匹配
硅%微波%脈遲%功率晶體管:內匹配
규%미파%맥충%공솔정체관:내필배
研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管.本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果.
研究併製造瞭2.6～2.8GHz輸齣功率100W、脈寬1μs、佔空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脈遲功率晶體管.本文介紹瞭該器件的設計攷慮和採用的工藝技術,給齣瞭研製結果.
연구병제조료2.6～2.8GHz수출공솔100W、맥관1μs、점공비25%、증익7dB、효솔35%적규미파맥충공솔정체관.본문개소료해기건적설계고필화채용적공예기술,급출료연제결과.
