原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2007年
5期
522-526
,共5页
李冬梅%皇甫丽英%王志华%勾秋静
李鼕梅%皇甫麗英%王誌華%勾鞦靜
리동매%황보려영%왕지화%구추정
MOS晶体管%宽长比%辐射效应%总剂量
MOS晶體管%寬長比%輻射效應%總劑量
MOS정체관%관장비%복사효응%총제량
采用非加固工艺,通过设计加固手段实现具有辐射容忍性能的器件,可使器件抗辐射加固成本大为降低.本工作研究商用标准0.6 μm体硅CMOS工艺下不同设计参数的MOS晶体管的γ射线总剂量辐照特性.通过对MOS器件在不同偏置情况下的总剂量辐照实验,分别对比了不同宽长比(W/L)NMOS管和PMOS管的总剂量辐照特性.研究表明,总剂量辐照引起阈值电压的漂移量对NMOS及PMOS管的W/L均不敏感;总剂量辐照引起亚阈区漏电流的增加随NMOS管W/L的减小而增加.研究结果可为抗辐射CMOS集成电路设计中晶体管参数的选择提供参考.
採用非加固工藝,通過設計加固手段實現具有輻射容忍性能的器件,可使器件抗輻射加固成本大為降低.本工作研究商用標準0.6 μm體硅CMOS工藝下不同設計參數的MOS晶體管的γ射線總劑量輻照特性.通過對MOS器件在不同偏置情況下的總劑量輻照實驗,分彆對比瞭不同寬長比(W/L)NMOS管和PMOS管的總劑量輻照特性.研究錶明,總劑量輻照引起閾值電壓的漂移量對NMOS及PMOS管的W/L均不敏感;總劑量輻照引起亞閾區漏電流的增加隨NMOS管W/L的減小而增加.研究結果可為抗輻射CMOS集成電路設計中晶體管參數的選擇提供參攷.
채용비가고공예,통과설계가고수단실현구유복사용인성능적기건,가사기건항복사가고성본대위강저.본공작연구상용표준0.6 μm체규CMOS공예하불동설계삼수적MOS정체관적γ사선총제량복조특성.통과대MOS기건재불동편치정황하적총제량복조실험,분별대비료불동관장비(W/L)NMOS관화PMOS관적총제량복조특성.연구표명,총제량복조인기역치전압적표이량대NMOS급PMOS관적W/L균불민감;총제량복조인기아역구루전류적증가수NMOS관W/L적감소이증가.연구결과가위항복사CMOS집성전로설계중정체관삼수적선택제공삼고.
