固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
4期
361-364
,共4页
行波放大器%砷化镓工艺%宽带放大器
行波放大器%砷化鎵工藝%寬帶放大器
행파방대기%신화가공예%관대방대기
介绍了基于0.15μm GaAs pHEMT工艺设计的3～20 GHz MMIC宽带行波低噪声放大器.在整个宽频带范围内实现了大于11.5 dB的功率增益,增益平坦度1.5dB,小于4.2dB的噪声系数,以及良好的输入输出回波损耗.最大饱和输出功率达到21 dBm.该4级级联行波放大器的芯片面积仅为1.5mm×1.5 mm.
介紹瞭基于0.15μm GaAs pHEMT工藝設計的3～20 GHz MMIC寬帶行波低譟聲放大器.在整箇寬頻帶範圍內實現瞭大于11.5 dB的功率增益,增益平坦度1.5dB,小于4.2dB的譟聲繫數,以及良好的輸入輸齣迴波損耗.最大飽和輸齣功率達到21 dBm.該4級級聯行波放大器的芯片麵積僅為1.5mm×1.5 mm.
개소료기우0.15μm GaAs pHEMT공예설계적3～20 GHz MMIC관대행파저조성방대기.재정개관빈대범위내실현료대우11.5 dB적공솔증익,증익평탄도1.5dB,소우4.2dB적조성계수,이급량호적수입수출회파손모.최대포화수출공솔체도21 dBm.해4급급련행파방대기적심편면적부위1.5mm×1.5 mm.
