上海第二医科大学学报
上海第二醫科大學學報
상해제이의과대학학보
ACTA UNIVERSITATIS MEDICINALIS SECONDAE SHANGHAI
2005年
8期
819-822
,共4页
半导体激光%氩激光%倍频激光%组织学改变
半導體激光%氬激光%倍頻激光%組織學改變
반도체격광%아격광%배빈격광%조직학개변
目的比较514 nm氩离子激光、532 nm倍频激光、810 nm半导体激光视网膜光凝斑的组织学改变.方法青紫蓝兔72只,随机分组后分别行514 nm氩离子激光、532 nm倍频激光和810 nm半导体激光的视网膜光凝.于光凝后不同时间段,在光镜和透射电镜下观察、比较三种激光对视网膜和脉络膜造成的组织学改变.结果三种激光能产生相同的视网膜组织学改变,但能量要求不一.光凝早期,810 nm半导体激光对脉络膜影响较其他两种激光为甚;光凝后3月,当810 nm半导体激光光凝损害仅达视网膜外层(外核层)时,其脉络膜组织学改变可完全恢复,与其他两种激光无明显差异.结论远期观察表明在达到临床治疗要求的能量水平上,三种激光对视网膜内层及深层脉络膜的影响无明显差异.
目的比較514 nm氬離子激光、532 nm倍頻激光、810 nm半導體激光視網膜光凝斑的組織學改變.方法青紫藍兔72隻,隨機分組後分彆行514 nm氬離子激光、532 nm倍頻激光和810 nm半導體激光的視網膜光凝.于光凝後不同時間段,在光鏡和透射電鏡下觀察、比較三種激光對視網膜和脈絡膜造成的組織學改變.結果三種激光能產生相同的視網膜組織學改變,但能量要求不一.光凝早期,810 nm半導體激光對脈絡膜影響較其他兩種激光為甚;光凝後3月,噹810 nm半導體激光光凝損害僅達視網膜外層(外覈層)時,其脈絡膜組織學改變可完全恢複,與其他兩種激光無明顯差異.結論遠期觀察錶明在達到臨床治療要求的能量水平上,三種激光對視網膜內層及深層脈絡膜的影響無明顯差異.
목적비교514 nm아리자격광、532 nm배빈격광、810 nm반도체격광시망막광응반적조직학개변.방법청자람토72지,수궤분조후분별행514 nm아리자격광、532 nm배빈격광화810 nm반도체격광적시망막광응.우광응후불동시간단,재광경화투사전경하관찰、비교삼충격광대시망막화맥락막조성적조직학개변.결과삼충격광능산생상동적시망막조직학개변,단능량요구불일.광응조기,810 nm반도체격광대맥락막영향교기타량충격광위심;광응후3월,당810 nm반도체격광광응손해부체시망막외층(외핵층)시,기맥락막조직학개변가완전회복,여기타량충격광무명현차이.결론원기관찰표명재체도림상치료요구적능량수평상,삼충격광대시망막내층급심층맥락막적영향무명현차이.
