吉林大学学报（理学版）
吉林大學學報（理學版）
길림대학학보（이학판）
JOURNAL OF JILIN UNIVERSITY(SCIENCE EDITION)
2007年
1期
116-120
,共5页
CdS纳米薄膜%化学沉积%均一致密%活性位%晶核
CdS納米薄膜%化學沉積%均一緻密%活性位%晶覈
CdS납미박막%화학침적%균일치밀%활성위%정핵
分别以Cd(NO3)2和(NH2)2CS作为镉源和硫源, 用化学沉积法(CBD)在ITO玻璃上生长CdS半导体纳米薄膜. 考察了Cd2+浓度、沉积温度、沉积时间和后处理温度对CdS成膜的影响. 紫外-可见吸收谱和原子力显微镜结果表明, 改变溶液浓度和后处理温度都能有效调节CdS的吸收带边, 得到均一致密的CdS纳米薄膜. 探讨了膜形成机理, 给出了成核过程模型, 进一步修正了传统成膜机制. 认为ITO玻璃基片表面活性位和晶核的形成是均一致密CdS纳米膜形成的关键. 晶核的形成是电学、 热学、 力学和化学等因素共同作用的结果.
分彆以Cd(NO3)2和(NH2)2CS作為鎘源和硫源, 用化學沉積法(CBD)在ITO玻璃上生長CdS半導體納米薄膜. 攷察瞭Cd2+濃度、沉積溫度、沉積時間和後處理溫度對CdS成膜的影響. 紫外-可見吸收譜和原子力顯微鏡結果錶明, 改變溶液濃度和後處理溫度都能有效調節CdS的吸收帶邊, 得到均一緻密的CdS納米薄膜. 探討瞭膜形成機理, 給齣瞭成覈過程模型, 進一步脩正瞭傳統成膜機製. 認為ITO玻璃基片錶麵活性位和晶覈的形成是均一緻密CdS納米膜形成的關鍵. 晶覈的形成是電學、 熱學、 力學和化學等因素共同作用的結果.
분별이Cd(NO3)2화(NH2)2CS작위력원화류원, 용화학침적법(CBD)재ITO파리상생장CdS반도체납미박막. 고찰료Cd2+농도、침적온도、침적시간화후처리온도대CdS성막적영향. 자외-가견흡수보화원자력현미경결과표명, 개변용액농도화후처리온도도능유효조절CdS적흡수대변, 득도균일치밀적CdS납미박막. 탐토료막형성궤리, 급출료성핵과정모형, 진일보수정료전통성막궤제. 인위ITO파리기편표면활성위화정핵적형성시균일치밀CdS납미막형성적관건. 정핵적형성시전학、 열학、 역학화화학등인소공동작용적결과.
