激光与光电子学进展
激光與光電子學進展
격광여광전자학진전
LASER & OPTOELECTRONICS PROGRESS
2007年
6期
58-61
,共4页
李晓婷%赛小锋%汪韬%曹希斌%石刚
李曉婷%賽小鋒%汪韜%曹希斌%石剛
리효정%새소봉%왕도%조희빈%석강
GaAs/Ge%过渡层%生长温度%晶体质量
GaAs/Ge%過渡層%生長溫度%晶體質量
GaAs/Ge%과도층%생장온도%정체질량
利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Ge衬底上生长GaAs外延层.通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量GaAs单晶层生长条件.
利用低壓金屬有機化學汽相澱積(MOCVD)設備在Ge襯底上生長GaAs外延層.通過改變GaAs過渡層的生長溫度對GaAs外延層進行瞭錶徵,利用掃描電鏡(SEM)和X射線衍射儀研究瞭錶麵形貌和晶體質量,優化齣滿足高效太暘能電池要求的高質量GaAs單晶層生長條件.
이용저압금속유궤화학기상정적(MOCVD)설비재Ge츤저상생장GaAs외연층.통과개변GaAs과도층적생장온도대GaAs외연층진행료표정,이용소묘전경(SEM)화X사선연사의연구료표면형모화정체질량,우화출만족고효태양능전지요구적고질량GaAs단정층생장조건.
