半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
3期
570-573
,共4页
杨伟锋%蔡加法%张峰%刘著光%吕英%吴正云
楊偉鋒%蔡加法%張峰%劉著光%呂英%吳正雲
양위봉%채가법%장봉%류저광%려영%오정운
4H-SiC%金属-半导体-金属%一维阵列%响应度
4H-SiC%金屬-半導體-金屬%一維陣列%響應度
4H-SiC%금속-반도체-금속%일유진렬%향응도
采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的Ⅰ-Ⅴ、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电流密度为5nA/cm2),光电流比暗电流高3个数量级以上.其光谱响应表明,单器件在电压为20V时的响应度约为0.09A/W,比400nm时的比值均大5000倍,说明探测器具有良好的紫外可见比.
採用Ni/Au作為肖特基接觸製備瞭一維陣列MSM 4H-SiC紫外光電探測器,併測量和分析瞭陣列器件的Ⅰ-Ⅴ、光譜響應特性.結果錶明,陣列探測器性能均勻性好,擊穿電壓均高于100V.陣列中單器件暗電流小,在偏壓為20V的時候,最大暗電流均小于5pA(電流密度為5nA/cm2),光電流比暗電流高3箇數量級以上.其光譜響應錶明,單器件在電壓為20V時的響應度約為0.09A/W,比400nm時的比值均大5000倍,說明探測器具有良好的紫外可見比.
채용Ni/Au작위초특기접촉제비료일유진렬MSM 4H-SiC자외광전탐측기,병측량화분석료진렬기건적Ⅰ-Ⅴ、광보향응특성.결과표명,진렬탐측기성능균균성호,격천전압균고우100V.진렬중단기건암전류소,재편압위20V적시후,최대암전류균소우5pA(전류밀도위5nA/cm2),광전류비암전류고3개수량급이상.기광보향응표명,단기건재전압위20V시적향응도약위0.09A/W,비400nm시적비치균대5000배,설명탐측기구유량호적자외가견비.
