电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2008年
4期
1219-1222
,共4页
CoolMOS%超级结器件%导通电阻%击穿电压%VDMOS
CoolMOS%超級結器件%導通電阻%擊穿電壓%VDMOS
CoolMOS%초급결기건%도통전조%격천전압%VDMOS
为了克服传统功率MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或CoolMOS,CoolMOS由一系列的P型和N型半导体薄层交替排列组成.在截止态时,由于p型和n型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p型和n型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降.导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低.由于CoolMOS的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS.本文对CoolMOS导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS横向器件:Ron·A=C·V2B,对纵向器件:Ron·A=C·VB,与纵向DMOS导通电阻与击穿电压之间Ron·A=C·V2.5B的关系相比,CoolMOS的导通电阻降低了约两个数量级.
為瞭剋服傳統功率MOS導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提齣瞭一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或CoolMOS,CoolMOS由一繫列的P型和N型半導體薄層交替排列組成.在截止態時,由于p型和n型層中的耗儘區電場產生相互補償效應,使p型和n型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降.導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低.由于CoolMOS的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS.本文對CoolMOS導通電阻與擊穿電壓關繫的理論計算錶明,對CoolMOS橫嚮器件:Ron·A=C·V2B,對縱嚮器件:Ron·A=C·VB,與縱嚮DMOS導通電阻與擊穿電壓之間Ron·A=C·V2.5B的關繫相比,CoolMOS的導通電阻降低瞭約兩箇數量級.
위료극복전통공솔MOS도통전조여격천전압지간적모순,제출료일충신적이상기건결구,칭위초급결기건혹CoolMOS,CoolMOS유일계렬적P형화N형반도체박층교체배렬조성.재절지태시,유우p형화n형층중적모진구전장산생상호보상효응,사p형화n형층적참잡농도가이주적흔고이불회인기기건격천전압적하강.도통시,저충고농도적참잡사기건적도통전조명현강저.유우CoolMOS적저충독특기건결구,사타적전성능우우전통공솔MOS.본문대CoolMOS도통전조여격천전압관계적이론계산표명,대CoolMOS횡향기건:Ron·A=C·V2B,대종향기건:Ron·A=C·VB,여종향DMOS도통전조여격천전압지간Ron·A=C·V2.5B적관계상비,CoolMOS적도통전조강저료약량개수량급.
