半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
2期
124-126,143
,共4页
洪颖%郝建民%冯玢%王香泉%章安辉
洪穎%郝建民%馮玢%王香泉%章安輝
홍영%학건민%풍분%왕향천%장안휘
6H-SiC%掺钒%单晶生长表面%钒析出相%分布规律
6H-SiC%摻釩%單晶生長錶麵%釩析齣相%分佈規律
6H-SiC%참범%단정생장표면%범석출상%분포규률
采用扫描电镜(SEM)和光学显微镜(OM)观察物理气相传输(PVT)法生长掺V6H鄄SiC单晶新鲜表面时,发现具有特定形状的析出相,经SEM 能谱(EDX)测试确定析出相的主要成分是V,推断其在单晶生长结束后的降温过程中产生.通过对V析出相的进一步研究发现其在数量、尺寸以及方向上都与单晶生长中心具有一定的关系,具有特定的分布规律,任何一个视场,析出相的取向只有两种,且数量相当, 这一结果说明结晶动力学对V的掺入具有一定的影响;当结晶温度较高时,这种影响不明显,但随着结晶区温度的降低,影响加剧,从而出现析出相,且析出相的结晶行为完全受晶体表面形貌的制约.
採用掃描電鏡(SEM)和光學顯微鏡(OM)觀察物理氣相傳輸(PVT)法生長摻V6H鄄SiC單晶新鮮錶麵時,髮現具有特定形狀的析齣相,經SEM 能譜(EDX)測試確定析齣相的主要成分是V,推斷其在單晶生長結束後的降溫過程中產生.通過對V析齣相的進一步研究髮現其在數量、呎吋以及方嚮上都與單晶生長中心具有一定的關繫,具有特定的分佈規律,任何一箇視場,析齣相的取嚮隻有兩種,且數量相噹, 這一結果說明結晶動力學對V的摻入具有一定的影響;噹結晶溫度較高時,這種影響不明顯,但隨著結晶區溫度的降低,影響加劇,從而齣現析齣相,且析齣相的結晶行為完全受晶體錶麵形貌的製約.
채용소묘전경(SEM)화광학현미경(OM)관찰물리기상전수(PVT)법생장참V6H견SiC단정신선표면시,발현구유특정형상적석출상,경SEM 능보(EDX)측시학정석출상적주요성분시V,추단기재단정생장결속후적강온과정중산생.통과대V석출상적진일보연구발현기재수량、척촌이급방향상도여단정생장중심구유일정적관계,구유특정적분포규률,임하일개시장,석출상적취향지유량충,차수량상당, 저일결과설명결정동역학대V적참입구유일정적영향;당결정온도교고시,저충영향불명현,단수착결정구온도적강저,영향가극,종이출현석출상,차석출상적결정행위완전수정체표면형모적제약.
