微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
1期
12-14,20
,共4页
杨霏%潘宏菽%霍玉柱%商庆杰%默江辉%闫锐
楊霏%潘宏菽%霍玉柱%商慶傑%默江輝%閆銳
양비%반굉숙%곽옥주%상경걸%묵강휘%염예
碳化硅%金属-肖特基势垒场效应晶体管(MESFET)%S波段%脉冲%大功率
碳化硅%金屬-肖特基勢壘場效應晶體管(MESFET)%S波段%脈遲%大功率
탄화규%금속-초특기세루장효응정체관(MESFET)%S파단%맥충%대공솔
采用自主开发的3英寸(75 mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200 W,功率增益大于11 dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5 dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势.器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力.
採用自主開髮的3英吋(75 mm)SiC外延技術和SiC MESFET的設計及工藝加工技術,成功地實現瞭S波段中長脈寬條件下(脈寬300μs,佔空比10%),輸齣功率大于200 W,功率增益大于11 dB,功率附加效率大于30%的性能樣管,脈遲頂降小于0.5 dB,實現瞭大功率輸齣條件下的較高功率增益和功率附加效率及較小的脈遲頂降,初步顯示瞭SiC功率器件的優勢.器件設計採用多胞閤成技術,為減小引線電感對功率增益的影響,採用瞭源引線雙邊接地技術;為提高器件的工作頻率,採用瞭電子束寫柵技術;為提高柵的可靠性,採用瞭加厚柵金屬和國傢授權的柵平坦化髮明專利技術;同時採用瞭以金為主體的多層難鎔金屬化繫統,提高瞭器件的抗電遷徙能力.
채용자주개발적3영촌(75 mm)SiC외연기술화SiC MESFET적설계급공예가공기술,성공지실현료S파단중장맥관조건하(맥관300μs,점공비10%),수출공솔대우200 W,공솔증익대우11 dB,공솔부가효솔대우30%적성능양관,맥충정강소우0.5 dB,실현료대공솔수출조건하적교고공솔증익화공솔부가효솔급교소적맥충정강,초보현시료SiC공솔기건적우세.기건설계채용다포합성기술,위감소인선전감대공솔증익적영향,채용료원인선쌍변접지기술;위제고기건적공작빈솔,채용료전자속사책기술;위제고책적가고성,채용료가후책금속화국가수권적책평탄화발명전리기술;동시채용료이금위주체적다층난용금속화계통,제고료기건적항전천사능력.
