硅谷
硅穀
규곡
SILICON VALLEY
2011年
12期
63-64,53
,共3页
刘宗贺%方雪冰%王泗禹%李杰%刘玮
劉宗賀%方雪冰%王泗禹%李傑%劉瑋
류종하%방설빙%왕사우%리걸%류위
VDMOS%EAS特性%Pbody浓度
VDMOS%EAS特性%Pbody濃度
VDMOS%EAS특성%Pbody농도
从VDM0S器件EAS测试的原理出发,通过统计实际生产中出现的EAS不良现象,得出EAS测试不良的两种主要现象,一种为EAS测试后器件烧毁,显示PRE-SH0RT损坏提示,第二种为EAS测试不通过显示P0ST-SHORT损坏提示,但器件没有烧毁.分别从器件源胞结构,以及EAS测试的时序上对两种不良现象的产生原因进行分析,得出源胞结构中的寄生电阻PB大,器件的Tf大是造成两种EAS不良的原因,提出通过提高Pbody浓度来降低源胞结构中的寄生电阻RB,并结合TCAD仿真,提出提高Pbody浓度来降低器件的Tf.最后通过对比实验验证不同Pbody浓度对器件EAS特性的影响,得到增加Pbody浓度可以有效提高器件EAS通过率与极限耐量.
從VDM0S器件EAS測試的原理齣髮,通過統計實際生產中齣現的EAS不良現象,得齣EAS測試不良的兩種主要現象,一種為EAS測試後器件燒燬,顯示PRE-SH0RT損壞提示,第二種為EAS測試不通過顯示P0ST-SHORT損壞提示,但器件沒有燒燬.分彆從器件源胞結構,以及EAS測試的時序上對兩種不良現象的產生原因進行分析,得齣源胞結構中的寄生電阻PB大,器件的Tf大是造成兩種EAS不良的原因,提齣通過提高Pbody濃度來降低源胞結構中的寄生電阻RB,併結閤TCAD倣真,提齣提高Pbody濃度來降低器件的Tf.最後通過對比實驗驗證不同Pbody濃度對器件EAS特性的影響,得到增加Pbody濃度可以有效提高器件EAS通過率與極限耐量.
종VDM0S기건EAS측시적원리출발,통과통계실제생산중출현적EAS불량현상,득출EAS측시불량적량충주요현상,일충위EAS측시후기건소훼,현시PRE-SH0RT손배제시,제이충위EAS측시불통과현시P0ST-SHORT손배제시,단기건몰유소훼.분별종기건원포결구,이급EAS측시적시서상대량충불량현상적산생원인진행분석,득출원포결구중적기생전조PB대,기건적Tf대시조성량충EAS불량적원인,제출통과제고Pbody농도래강저원포결구중적기생전조RB,병결합TCAD방진,제출제고Pbody농도래강저기건적Tf.최후통과대비실험험증불동Pbody농도대기건EAS특성적영향,득도증가Pbody농도가이유효제고기건EAS통과솔여겁한내량.
