真空
真空
진공
VACUUM
2011年
5期
71-73
,共3页
微晶硅薄膜%非晶孵化层%表面粗糙度
微晶硅薄膜%非晶孵化層%錶麵粗糙度
미정규박막%비정부화층%표면조조도
本文采用VHF-PECVD技术制备了系列硅薄膜,通过椭圆偏振技术及拉曼测试手段研究了p型微晶硅层对本征微晶硅薄膜结构特性的影响.实验结果表明:在薄膜生长初期,与玻璃衬底上生长的本征微晶硅薄膜相比,微晶p层上的硅薄膜表面粗糙度较大,非晶孵化层较薄；随本征薄膜厚度的增加,玻璃衬底上生长的本征微晶硅薄膜的粗糙度大于微晶p层上生长的本征微晶硅薄膜,相比之下,微晶p层上的本征微晶硅薄膜生长得比较均匀.
本文採用VHF-PECVD技術製備瞭繫列硅薄膜,通過橢圓偏振技術及拉曼測試手段研究瞭p型微晶硅層對本徵微晶硅薄膜結構特性的影響.實驗結果錶明:在薄膜生長初期,與玻璃襯底上生長的本徵微晶硅薄膜相比,微晶p層上的硅薄膜錶麵粗糙度較大,非晶孵化層較薄；隨本徵薄膜厚度的增加,玻璃襯底上生長的本徵微晶硅薄膜的粗糙度大于微晶p層上生長的本徵微晶硅薄膜,相比之下,微晶p層上的本徵微晶硅薄膜生長得比較均勻.
본문채용VHF-PECVD기술제비료계렬규박막,통과타원편진기술급랍만측시수단연구료p형미정규층대본정미정규박막결구특성적영향.실험결과표명:재박막생장초기,여파리츤저상생장적본정미정규박막상비,미정p층상적규박막표면조조도교대,비정부화층교박；수본정박막후도적증가,파리츤저상생장적본정미정규박막적조조도대우미정p층상생장적본정미정규박막,상비지하,미정p층상적본정미정규박막생장득비교균균.
