半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2005年
4期
350-352
,共3页
雷恺%缪瑜%冯军%王志功
雷愷%繆瑜%馮軍%王誌功
뢰개%무유%풍군%왕지공
激光驱动器%复接器%锁存器%CMOS%直接耦合%SOC
激光驅動器%複接器%鎖存器%CMOS%直接耦閤%SOC
격광구동기%복접기%쇄존기%CMOS%직접우합%SOC
介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的10Gb/s光发射机电路,包括复接器和激光驱动器两部分.仿真结果表明,在1.8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb/s速率以上,输入四路单端峰峰值为0.2V的信号时,在单端50Ω负载上的复接输出电压摆幅可达到1.4V以上,电路功耗约为230mW.芯片面积为1.77mm×0.94mm.
介紹瞭基于0.18μm CMOS工藝設計的10Gb/s光髮射機電路,包括複接器和激光驅動器兩部分.倣真結果錶明,在1.8V電源電壓作用下該電路可工作在10Gb/s速率以上,輸入四路單耑峰峰值為0.2V的信號時,在單耑50Ω負載上的複接輸齣電壓襬幅可達到1.4V以上,電路功耗約為230mW.芯片麵積為1.77mm×0.94mm.
개소료기우0.18μm CMOS공예설계적10Gb/s광발사궤전로,포괄복접기화격광구동기량부분.방진결과표명,재1.8V전원전압작용하해전로가공작재10Gb/s속솔이상,수입사로단단봉봉치위0.2V적신호시,재단단50Ω부재상적복접수출전압파폭가체도1.4V이상,전로공모약위230mW.심편면적위1.77mm×0.94mm.
