微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2005年
4期
371-374
,共4页
魏顺宇%李志国%程尧海%黄瑞毅%周敏
魏順宇%李誌國%程堯海%黃瑞毅%週敏
위순우%리지국%정요해%황서의%주민
多芯片组件%热模拟%热分析%有限元
多芯片組件%熱模擬%熱分析%有限元
다심편조건%열모의%열분석%유한원
针对双列直插封装的大功率MCM,建立了简化的热学模型;利用有限元数值方法,在ANSYS软件平台下,对其三维温场进行了稳态模拟和分析.模拟结果与测量值的误差为4.5%,表明设定的模型与实际情况符合较好.模拟结果表明,对于金属DIP封装的MCM,内热通路主要沿芯片背面向外壳底表面传递.
針對雙列直插封裝的大功率MCM,建立瞭簡化的熱學模型;利用有限元數值方法,在ANSYS軟件平檯下,對其三維溫場進行瞭穩態模擬和分析.模擬結果與測量值的誤差為4.5%,錶明設定的模型與實際情況符閤較好.模擬結果錶明,對于金屬DIP封裝的MCM,內熱通路主要沿芯片揹麵嚮外殼底錶麵傳遞.
침대쌍렬직삽봉장적대공솔MCM,건립료간화적열학모형;이용유한원수치방법,재ANSYS연건평태하,대기삼유온장진행료은태모의화분석.모의결과여측량치적오차위4.5%,표명설정적모형여실제정황부합교호.모의결과표명,대우금속DIP봉장적MCM,내열통로주요연심편배면향외각저표면전체.
