光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2007年
1期
40-42
,共3页
赵妙%谭满清%周代兵%吴旭明%王晓东
趙妙%譚滿清%週代兵%吳旭明%王曉東
조묘%담만청%주대병%오욱명%왕효동
介质光学膜%致密性%双源电子束蒸发%折射率%蒸发速率
介質光學膜%緻密性%雙源電子束蒸髮%摺射率%蒸髮速率
개질광학막%치밀성%쌍원전자속증발%절사솔%증발속솔
采用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2得到的混合膜层,折射率不仅可调,而且比Si膜要高.用原子力显微镜(AFM)分别对单纯镀的Si膜与双源电子束蒸发镀的Si/SiO2混合膜层的表面形貌进行了观测,结果表明,前者表面疏松,有明显的孔洞结构;后者膜层表面细密.采用双源蒸发的成膜理论,对该方法提高膜层致密性的原因进行了探讨.
採用雙源電子束蒸髮的方法,在K9玻璃基片上蒸鍍Si和SiO2得到的混閤膜層,摺射率不僅可調,而且比Si膜要高.用原子力顯微鏡(AFM)分彆對單純鍍的Si膜與雙源電子束蒸髮鍍的Si/SiO2混閤膜層的錶麵形貌進行瞭觀測,結果錶明,前者錶麵疏鬆,有明顯的孔洞結構;後者膜層錶麵細密.採用雙源蒸髮的成膜理論,對該方法提高膜層緻密性的原因進行瞭探討.
채용쌍원전자속증발적방법,재K9파리기편상증도Si화SiO2득도적혼합막층,절사솔불부가조,이차비Si막요고.용원자력현미경(AFM)분별대단순도적Si막여쌍원전자속증발도적Si/SiO2혼합막층적표면형모진행료관측,결과표명,전자표면소송,유명현적공동결구;후자막층표면세밀.채용쌍원증발적성막이론,대해방법제고막층치밀성적원인진행료탐토.
