科技通报
科技通報
과기통보
BULLETIN OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
2009年
6期
723-726,731
,共5页
磺胺%多壁碳纳米管%修饰铂电极%伏安法
磺胺%多壁碳納米管%脩飾鉑電極%伏安法
광알%다벽탄납미관%수식박전겁%복안법
研究制备碳纳米管修饰铂电极,并研究比较磺胺在铂电极和修饰电极表面的氧化还原行为的差异.研究发现碳纳米管修饰电极使磺胺的氧化电位负移0.2V,氧化电流放大60倍.在磺胺浓度0.01～0.13 mmol·L-1的范围内,峰电流和浓度呈线性响应,其线性方程为ip=1.045×10-5+7.967×10-4C,相关系数r=0.991.
研究製備碳納米管脩飾鉑電極,併研究比較磺胺在鉑電極和脩飾電極錶麵的氧化還原行為的差異.研究髮現碳納米管脩飾電極使磺胺的氧化電位負移0.2V,氧化電流放大60倍.在磺胺濃度0.01～0.13 mmol·L-1的範圍內,峰電流和濃度呈線性響應,其線性方程為ip=1.045×10-5+7.967×10-4C,相關繫數r=0.991.
연구제비탄납미관수식박전겁,병연구비교광알재박전겁화수식전겁표면적양화환원행위적차이.연구발현탄납미관수식전겁사광알적양화전위부이0.2V,양화전류방대60배.재광알농도0.01～0.13 mmol·L-1적범위내,봉전류화농도정선성향응,기선성방정위ip=1.045×10-5+7.967×10-4C,상관계수r=0.991.
