量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2011年
6期
742-747
,共6页
钟林瑛%洪荣墩%林伯金%蔡加法%陈厦平%吴正云
鐘林瑛%洪榮墩%林伯金%蔡加法%陳廈平%吳正雲
종림영%홍영돈%림백금%채가법%진하평%오정운
光电子学%4H-SiC%APD%光谱响应%探测率
光電子學%4H-SiC%APD%光譜響應%探測率
광전자학%4H-SiC%APD%광보향응%탐측솔
应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构.分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26 μm,掺杂浓度为9.0×1017 cm-3.模拟分析了该APD的反向IV特性、光增益、不同偏压下的光谱响应和探测率等,结果显示该APD在较低的击穿电压-66.4 V下可获得较高的倍增因子105；在0V偏压下峰值响应波长(250 nm)处的响应度为0.11A/W,相应的量子效率为58％；临近击穿电压时,紫外可见比仍可达1.5×103；其归一化探测率最大可达1.5×1016 cmHz1/2W-1.结果显示该APD具有较好的紫外探测性能.
應用ATLAS模擬軟件,設計瞭吸收層與倍增層分離的(SAM)4H-SiC雪崩光電探測器(APD)結構.分析瞭不同外延層厚度和摻雜濃度對器件光譜響應的影響,對倍增層參數進行優化模擬,得齣倍增層的最優化厚度為0.26 μm,摻雜濃度為9.0×1017 cm-3.模擬分析瞭該APD的反嚮IV特性、光增益、不同偏壓下的光譜響應和探測率等,結果顯示該APD在較低的擊穿電壓-66.4 V下可穫得較高的倍增因子105；在0V偏壓下峰值響應波長(250 nm)處的響應度為0.11A/W,相應的量子效率為58％；臨近擊穿電壓時,紫外可見比仍可達1.5×103；其歸一化探測率最大可達1.5×1016 cmHz1/2W-1.結果顯示該APD具有較好的紫外探測性能.
응용ATLAS모의연건,설계료흡수층여배증층분리적(SAM)4H-SiC설붕광전탐측기(APD)결구.분석료불동외연층후도화참잡농도대기건광보향응적영향,대배증층삼수진행우화모의,득출배증층적최우화후도위0.26 μm,참잡농도위9.0×1017 cm-3.모의분석료해APD적반향IV특성、광증익、불동편압하적광보향응화탐측솔등,결과현시해APD재교저적격천전압-66.4 V하가획득교고적배증인자105；재0V편압하봉치향응파장(250 nm)처적향응도위0.11A/W,상응적양자효솔위58％；림근격천전압시,자외가견비잉가체1.5×103；기귀일화탐측솔최대가체1.5×1016 cmHz1/2W-1.결과현시해APD구유교호적자외탐측성능.
