原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2012年
3期
417-422
,共6页
烷氧链链长%吐昔烯%电荷传输性质%液晶半导体%密度泛函理论
烷氧鏈鏈長%吐昔烯%電荷傳輸性質%液晶半導體%密度汎函理論
완양련련장%토석희%전하전수성질%액정반도체%밀도범함이론
吐昔烯衍生物的盘状液晶分子,在有机电子材料领域被用作光导材料和载流子传输材料.使用电子转移的Marcus模型,在B3LYP/6-31+ G**水平上研究了5个含三条烷氧链(n=1,3,5,8,10)的吐昔烯衍生物分子的电荷转移性质.计算表明,电荷转移矩阵元t是影响分子电荷转移的主要因素.5个分子中,随烷氧链长度(n)增大,空穴、电子传输重组能的变化范围分别为16.01~16.91kJ/mol和22.35~23.68kJ/mol.空穴传输矩阵元“减小超过1.5倍,空穴传输载流子迁移率μ+减小超过2倍.电子传输矩阵元t-增大幅度不大,电子传输载流子迁移率μ-增大2倍,表明烷氧链增长不利于空穴传输,有利于电子传输.
吐昔烯衍生物的盤狀液晶分子,在有機電子材料領域被用作光導材料和載流子傳輸材料.使用電子轉移的Marcus模型,在B3LYP/6-31+ G**水平上研究瞭5箇含三條烷氧鏈(n=1,3,5,8,10)的吐昔烯衍生物分子的電荷轉移性質.計算錶明,電荷轉移矩陣元t是影響分子電荷轉移的主要因素.5箇分子中,隨烷氧鏈長度(n)增大,空穴、電子傳輸重組能的變化範圍分彆為16.01~16.91kJ/mol和22.35~23.68kJ/mol.空穴傳輸矩陣元“減小超過1.5倍,空穴傳輸載流子遷移率μ+減小超過2倍.電子傳輸矩陣元t-增大幅度不大,電子傳輸載流子遷移率μ-增大2倍,錶明烷氧鏈增長不利于空穴傳輸,有利于電子傳輸.
토석희연생물적반상액정분자,재유궤전자재료영역피용작광도재료화재류자전수재료.사용전자전이적Marcus모형,재B3LYP/6-31+ G**수평상연구료5개함삼조완양련(n=1,3,5,8,10)적토석희연생물분자적전하전이성질.계산표명,전하전이구진원t시영향분자전하전이적주요인소.5개분자중,수완양련장도(n)증대,공혈、전자전수중조능적변화범위분별위16.01~16.91kJ/mol화22.35~23.68kJ/mol.공혈전수구진원“감소초과1.5배,공혈전수재류자천이솔μ+감소초과2배.전자전수구진원t-증대폭도불대,전자전수재류자천이솔μ-증대2배,표명완양련증장불리우공혈전수,유리우전자전수.