上饶师专学报
上饒師專學報
상요사전학보
JOURNAL OF SHANGRAO TEACHERS COLLEGE
2000年
3期
41-45
,共5页
锑%阳极膜%平带电位%施主密度%M-S方程
銻%暘極膜%平帶電位%施主密度%M-S方程
제%양겁막%평대전위%시주밀도%M-S방정
采用交流阻抗和白光电流测量法,研究了锑在恒电位1.2V(VS.SCE)于0.025mol.dm-3Na2CO3+0.025mo1.dm-3Na2HCO3+0.500mol.dm-3Na2SO4(PH=9.98,30℃)缓冲溶液中阳极形成膜半导体性质.实验证明,该阳极氧化膜是一种n-型半导体,其平带电位Efb和施主密度ND分别为-0.53V(VS.SCE)和2.86×1018cm-3.
採用交流阻抗和白光電流測量法,研究瞭銻在恆電位1.2V(VS.SCE)于0.025mol.dm-3Na2CO3+0.025mo1.dm-3Na2HCO3+0.500mol.dm-3Na2SO4(PH=9.98,30℃)緩遲溶液中暘極形成膜半導體性質.實驗證明,該暘極氧化膜是一種n-型半導體,其平帶電位Efb和施主密度ND分彆為-0.53V(VS.SCE)和2.86×1018cm-3.
채용교류조항화백광전류측량법,연구료제재항전위1.2V(VS.SCE)우0.025mol.dm-3Na2CO3+0.025mo1.dm-3Na2HCO3+0.500mol.dm-3Na2SO4(PH=9.98,30℃)완충용액중양겁형성막반도체성질.실험증명,해양겁양화막시일충n-형반도체,기평대전위Efb화시주밀도ND분별위-0.53V(VS.SCE)화2.86×1018cm-3.
