化学物理学报
化學物理學報
화학물이학보
CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS
2004年
3期
236-240
,共5页
硅%二氧化硅%腐蚀速率%光刻术
硅%二氧化硅%腐蝕速率%光刻術
규%이양화규%부식속솔%광각술
定义了硅表面上硅和二氧化硅的横向腐蚀速率,系统地测量了硅(100)晶面上的硅和二氧化硅在40%(质量分数)氟化铵水溶液中的横向与纵向腐蚀速率,并和硅(111)晶面上的测量结果进行了对比.对比结果表明,尽管两种晶面上的硅和二氧化硅的腐蚀速率有明显的差别,其相应的表观活化能在误差范围内相同.实验中还发现,溶液的温度为38.2 ℃时,硅腐蚀过程中形成的气泡对硅的腐蚀速率有显著的影响: 开始时加速硅的腐蚀;但随着气泡在硅/溶液界面的聚集,阻碍硅的腐蚀.
定義瞭硅錶麵上硅和二氧化硅的橫嚮腐蝕速率,繫統地測量瞭硅(100)晶麵上的硅和二氧化硅在40%(質量分數)氟化銨水溶液中的橫嚮與縱嚮腐蝕速率,併和硅(111)晶麵上的測量結果進行瞭對比.對比結果錶明,儘管兩種晶麵上的硅和二氧化硅的腐蝕速率有明顯的差彆,其相應的錶觀活化能在誤差範圍內相同.實驗中還髮現,溶液的溫度為38.2 ℃時,硅腐蝕過程中形成的氣泡對硅的腐蝕速率有顯著的影響: 開始時加速硅的腐蝕;但隨著氣泡在硅/溶液界麵的聚集,阻礙硅的腐蝕.
정의료규표면상규화이양화규적횡향부식속솔,계통지측량료규(100)정면상적규화이양화규재40%(질량분수)불화안수용액중적횡향여종향부식속솔,병화규(111)정면상적측량결과진행료대비.대비결과표명,진관량충정면상적규화이양화규적부식속솔유명현적차별,기상응적표관활화능재오차범위내상동.실험중환발현,용액적온도위38.2 ℃시,규부식과정중형성적기포대규적부식속솔유현저적영향: 개시시가속규적부식;단수착기포재규/용액계면적취집,조애규적부식.
